台积电考虑在美建第二家芯片厂
在全球经济衰退加剧、电子产品需求疲软之际,台积电正在减少资本支出,但在美国新建第二座工厂将是一项重大支出。《华尔街日报》早些时候报道称,台积电将公布在美国另一家工厂的投资计划,新工厂投资规模与第一个项目类似,约为120亿美元。
台积电在声明中表示,“鉴于客户对台积电先进技术的强劲需求,以及基于运营效率和成本经济方面的考虑,我们将考虑在亚利桑那州新建第二座工厂,以提高产能。这座建筑使我们能够为未来的扩张保持灵活性,但我们还没有就第二座工厂的建设做出最终决定。”
据路透社报道,台积电可能将领先的N3制造技术的芯片生产带到亚利桑那州芯片生产基地,作为其扩张的一部分。台积电已经在该基地建立了一个晶圆厂外壳,如果该公司认为美国对N3有足够的需求,将快速地安装适当的生产。
《华尔街日报》援引知情人士的话报道称,台积电正在考虑为新厂房配备足够先进的工具,以利用该公司N3系列(其中包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X)的领先制造技术制造芯片。
华盛顿称赞台积电在亚利桑那州的扩张是进一步将先进芯片制造带回美国。但台积电表示,在美国制造半导体的成本要高得多,不过在政府的支持下,这种高成本是可控的。
台积电的生产基地大多在中国台湾。过去一年左右,该公司已开始实现业务多元化,以帮助满足一些国家寻求提高半导体生产的需求。据悉,台积电正在日本建设一个耗资70亿美元的工厂,并正在与德国政府就在当地建立工厂的可能性进行初步谈判。
此前有媒体报道称,台积电耗资120亿美元的5纳米芯片制造厂将于12月中旬在亚利桑那州凤凰城(Pheonix)举行首批机器入厂仪式。美国总统拜登也将出席该仪式。有报道称,台积电将从中国航空公司包机将设备和员工运送至凤凰城,第一批包机于11月1日开始起飞。台积电飞往凤凰城的包机预计每两周一次。
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