VM系列振弦采集模块的激励方法
高压脉冲激励法 HPM（ High Voltage Pulse Excitation Method）。 向振弦传感器发送单个瞬时高压脉冲信号，使钢弦产生自主振动的方法。在高压脉冲激励法中， 以 VSEN 为电压源， 将低电压抬升至高压（ 一般 100V~200V 之间）， 泵压后的高压值及向传感器释放的电量与泵压持续时长、泵压源电压等参数有关。
河北稳控科技VM系列振弦采集模块的激励方法
通过修改寄存器 EX_METH.[3:0]来完成激励方法的选择， EX_METH[4]用于设置是否忽略传感器的接入检测而强制发送激励信号。
高压脉冲激励法
高压脉冲激励法 HPM（ High Voltage Pulse Excitation Method）。 向振弦传感器发送单个瞬时高压脉冲信号，使钢弦产生自主振动的方法。在高压脉冲激励法中， 以 VSEN 为电压源， 将低电压抬升至高压（ 一般 100V~200V 之间）， 泵压后的高压值及向传感器释放的电量与泵压持续时长、泵压源电压等参数有关。
VMXXX 可产生 30~180V 的高压脉冲激励信号，较高的 VSEN 电压可以获得较高的高压值。
使用 80V~180V 的高压脉冲激励信号均能使振弦良好起振， 为不影响传感器寿命， 在满足测量需求前提下， 应尽量利用 HP_EXP 寄存器使高压激励信号维持在一个尽量低的电压值， 高电压有可能烧毁传感器线圈。
高压激励时激励电压除受到期望电压参数限制外，根据实时线圈电阻阻值大小还会进行进一步的一定的限制
（ 1）强制激励时，若外接线圈电阻不在正常范围内，限制为最高 50V；
（ 2）正常连接传感器时，线圈电阻越小时限制的电压越低；
线圈电阻 限制电压 线圈电阻 限制电压
50Ω 75V 200Ω 140V
100Ω 100V 500Ω 180V
150 120V 600 180V
无论是高压脉冲激励还是低压扫频激励， 最近一次传感器激励时加载到传感器上的实际电压值均可通过读取寄存器 VSEN_RT 获取， 单位为 0.01V。
低压扫频激励法
低压扫频 LSM（ Low Voltage Sweeping Method）是指使用一个与振弦传感器钢弦频率相近的周期性信号，使钢弦产生自振。低压扫频时， VSEN 电压即是扫频电压。
与低压扫频有关的寄存器有起始频率寄存器（ FS_FMIN）、 终止频率寄存器（ FS_FMAX）、频率步进寄存器（ FS_STEP） 以及单步扫频信号周期数量寄存器（ FS_SCNT）。
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