Vishay 推出首款-30 V P沟道MOSFET

传感发烧友 20200819

  • 功率密度优化
MOSFET的低导通电阻与市场上第二好的产品相比，降低了43％，可降低电压降并将传导功率损耗降至最低，从而实现更高的功率密度。

　　Vishay Intertechnology推出了首款-30 V p沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），在10 V时可提供1.7mΩ的导通电阻。 Vishay Siliconix TrenchFET Gen IV SiRA99DP专为增强功率密度而设计，采用6.15 mm x 5.15 mm耐热增强型PowerPAK SO-8单封装。

　　MOSFET的低导通电阻与市场上第二好的产品相比，降低了43％，可降低电压降并将传导功率损耗降至最低，从而实现更高的功率密度。

　　资料来源：Vishay Intertechnology Inc.

　　结合84 nC的超低栅极电荷，SiRA99DP提供了同类最佳的栅极电荷时间导通电阻，这是用于开关应用的MOSFET的关键品质因数（FOM），为185mΩ* NC.

　　该器件是输入电压为12 V的电路的理想选择，针对适配器，电池和通用电源开关进行了优化。反极性电池保护；OR-ing功能；以及电信设备，服务器以及工业PC和机器人中的电机驱动控制。SiRA99DP的高功率密度通过减少并行所需的组件数量（换句话说，通过为每个设备提供更多电流）来节省这些应用中的PCB空间。此外，作为p沟道MOSFET,该器件不需要电荷泵来提供其n沟道晶体管所需的正栅极偏置。

　　MOSFET经过100％RG和UIS测试，符合RoHS要求。SiRA99DP的样品和量产批量现已提供，交货时间为12周，取决于市场情况。单价约为0.86美元。

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