罗姆的节能SiC-MOSFET如何减少开关损耗？
姆罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款，与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比，可最大限度地提高开关性能，并将开关损耗降低多达35%。
罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款，与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比，可最大限度地提高开关性能，并将开关损耗降低多达35%。SiC-MOSFET特别适合在服务器电源、UPS系统、太阳能逆变器和新能源汽车充电站中的节能使用。
通过使用TO-247-4L封装，驱动器和电流源引脚得以分离，从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。这有助于显着降低功耗，对于必须提供不间断电源的高性能应用尤其具有吸引力。特别是随着先进AI和IoT的发展，对于云服务的需求不断增长，数据中心面临着在降低功耗的同时还要提高容量和性能的挑战。
配套评测板(P02SCT3040KR-EVK-001)带有针对驱动SiC器件而优化的栅极驱动器IC (BM6101FV-C)。多个电源IC和分立组件有利于应用评测和开发。由于兼容两种封装类型(TO-247-4L和TO-247N)，可在相同的条件下进行评测。这个评测板可用于升压电路、2级逆变器和同步整流降压电路中的双脉冲测试和组件评测。
查看全文
作者最近更新
-
XP Power将在Electronica展示高压电源解决方案电子产品世界
2022-10-22 -
基于国产ARM核MCU的液冷智能控制系统电子产品世界2022-10-21
-
增速放缓,政策与业务需求推动SDS&HCI市场增长电子产品世界2022-10-20
评论0条评论