美国LANL国家实验室载流子倍增新突破
半导体中的载流子倍增现象是指半导体材料吸收一个高能光子产生多个电子-空穴对。将载流子倍增应用于太阳能电池将大幅降低高能光子的热损耗，提升太阳光利用率，从而突破Shockley-Queisser极限。
然而，在半导体体相材料中，受到平移动量守恒的限制，载流子倍增发生所需光子能量远大于禁带宽度，应用价值较低。小尺寸的半导体量子点能够弱化平移动量守恒的限制，为获得高效的载流子倍增提供了物质基础。美国洛斯阿拉莫斯国家实验室研究团队一直以来对半导体量子点中的载流子倍增有着深入且广泛的研究。
您需要先支付 2元 才能查看此处内容！立即支付
版权声明：除特殊说明外，本站所有文章均为 字节点击 原创内容，采用 BY-NC-SA 知识共享协议。原文链接：https://byteclicks.com/51377.html 转载时请以链接形式标明本文地址。转载本站内容不得用于任何商业目的。本站转载内容版权归原作者所有，文章内容仅代表作者独立观点，不代表字节点击立场。报道中出现的商标、图像版权及专利和其他版权所有的信息属于其合法持有人，只供传递信息之用，非商务用途。如有侵权，请联系 gavin@byteclicks.com。我们将协调给予处理。
查看全文
作者最近更新
-
盘点未来传感器的8大趋势传感学院
2024-07-13 -
安徽国芯成功研发出全球首款商用钾离子电池传感学院2024-07-09
-
宁德时代：欧洲市场份额已达约35%传感学院2024-07-04
评论0条评论