智原开发英飞凌SONOS eFlash子系统于联电40ULP工艺通过芯片质量可靠度验证
传感思享者
“智原的Ariel SoC已成功通过125°C下1000小时的高温运行芯片早夭潜在故障率（HTOL）可靠性测试、125°C下的数据储存特性评估、以及超过10万次的耐久性读写测试。透过对实体芯片在严苛条件下的测试，确认英飞凌的SONOS eFlash macro IP在联电的40ULP工艺上为质量可靠度合格的eNVM解决方案。
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ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）今日宣布其Ariel™ SoC成功通过完整质量可靠度验证，该IoT芯片基于联电40纳米超低功耗（40ULP）工艺并采用英飞凌SONOS eFlash嵌入式闪存技术。智原独家在联电40ULP平台上提供SONOS eFlash子系统解决方案，可适用于需要高性能和低功耗的人工智能物联网（AIoT）、微控制器（MCU）和智能电网应用产品。
智原的Ariel SoC已成功通过125°C下1000小时的高温运行芯片早夭潜在故障率（HTOL）可靠性测试、125°C下的数据储存特性评估、以及超过10万次的耐久性读写测试。透过对实体芯片在严苛条件下的测试，确认英飞凌的SONOS eFlash macro IP在联电的40ULP工艺上为质量可靠度合格的eNVM解决方案。
在与UMC和英飞凌的战略合作下，智原推出40ULP SONOS eFlash ASIC一站式解决方案。该方案支持SONOS子系统、晶圆制造、芯片封装和测试。SONOS子系统包括eFlash控制器、eFlash macro IP、完整的eFlash BIST测试软硬件以及用于简化数据存取和控制的附加缓存功能。客户可以使用此具有极佳成本效益的eNVM解决方案，简化SONOS eFlash的整合工作并进行量产。
智原科技营运长林世钦表示：“SONOS eFlash与联电的40ULP逻辑工艺完全兼容。这种兼容性减少IP移植的工作，只需要使用少量额外的光罩，从而为客户降低成本，同时减少制造周期。”
英飞凌内存解决方案部资深总监Vineet Agrawal表示：“SONOS eFlash在联电的40ULP工艺上已在各种应用中通过市场验证。智原的完善SONOS eFlash解决方案使客户能够轻松满足广泛物联网应用产品的SoC设计成本、功耗和性能要求。”
联华电子技术开发部执行处长许尧凯表示：“智原成功验证联电40ULP SONOS eFlash工艺与其Ariel物联网ASIC的兼容性，进一步提供高效低功耗的AIoT相关项目的支持力度。我们合作提供整体解决方案，可于多种应用中简化eFlash内存技术的使用流程。”
关于智原科技
智原科技（Faraday Technology Corporation, TWSE: 3035）为专用集成电路（ASIC）设计服务暨知识产权（IP）研发销售领导厂商，通过ISO 9001与ISO 26262认证，总公司位于台湾新竹科学园区，并于中国大陆、美国与日本设有研发、营销据点。重要的IP产品包括：I/O、标准单元库、Memory Compiler、兼容ARM指令集CPU、LPDDR4/4X、DDR4/3、MIPI D-PHY、V-by-One、USB 3.1/2.0、10/100 Ethernet、Giga Ethernet、SATA3/2、PCIe Gen4/3、28G可编程高速SerDes，以及数百个外设数字及混合讯号IP。更多信息，请浏览智原科技网站www.faraday-tech.com或关注微信号faradaytech。
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