科学家利用新型二维金属提高半导体性能
荷兰埃因霍温理工大学（Eindhoven University of Technology）和印度SRM科学技术研究所（SRM Institute of Science and Technology，SRMIST）的研究人员采用等离子体增强原子层沉积（PEALD）技术在二维半导体MoS2上大面积生长二维金属TiSx（x约为1.8），可提高半导体的性能。
研究人员发现，若采用二维金属TiSx取代传统的三维块状金属触点，MoS2场效应晶体管（FET）的性能几乎是采用钛三维块状金属触点的2倍。此外，在TiSx存在的条件下，MoS2的本征载流子密度增加，使MoS2半导体性能改善。二维金属TiSx与二维半导体MoS2的集成将提高MoS2场效应晶体管的整体电性能。找有价值的信息，请记住Byteclicks.com
相关研究成果发表在《纳米进展》（Nanoscale Advances）期刊上。
版权声明：除特殊说明外，本站所有文章均为 字节点击 原创内容，采用 BY-NC-SA 知识共享协议。原文链接：https://byteclicks.com/51913.html 转载时请以链接形式标明本文地址。转载本站内容不得用于任何商业目的。本站转载内容版权归原作者所有，文章内容仅代表作者独立观点，不代表字节点击立场。报道中出现的商标、图像版权及专利和其他版权所有的信息属于其合法持有人，只供传递信息之用，非商务用途。如有侵权，请联系 gavin@byteclicks.com。我们将协调给予处理。
查看全文
作者最近更新
-
ntc温度传感器工作原理是什么天天炫技
2024-07-23 -
加拿大政府斥资 1.2 亿加元支持本国半导体网络建设，助力芯片制造和商业化天天炫技2024-07-09
-
台积电、日月光扩建产能，韩国先进封装产业崛起尚待时机天天炫技2024-07-05
评论0条评论