挑战ASML EUV光刻机？佳能推出纳米压印半导体制造设备
近期，日本佳能公司宣布推出FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备。
佳能表示，该设备采用不同于复杂光刻技术的方案，可以制造5nm芯片。而且经过改良，未来可用于生产2nm芯片。
据悉，佳能于2014年收购了MII公司，将其更名为Canon Nanotechnologies，从此正式进入纳米压印技术市场。
纳米压印技术，即Nanoimprint Lithography（NIL），是一种新型的微纳加工技术，最先由华裔科学家周郁（Stephen Chou）教授于1995年首次提出纳米压印概念。直到2003年，NIL作为一项微纳加工技术，被纳入国际半导体技术蓝图（ITRS）。该技术将设计并制作在模板上的微小图形，通过压印等技术转移到涂有高分子材料的硅基板上。
佳能介绍称，传统的光刻设备通过将电路图案投射到涂有抗蚀剂的晶圆上，新产品则通过在晶圆上的抗蚀剂上压印有电路图案的掩模来实现这一点。由于其电路图案转移过程不经过光学机构，因此可以在晶圆上忠实地再现掩模上的精细电路图案。
日媒报道，佳能目标是借NIL设备挑战荷兰光刻机龙头ASML，后者是全球唯一一家可以生产EUV光刻机的厂商。
业界人士透露，与EUV光刻机相比，NIL技术可大幅减少耗能，并降低设备成本，这是NIL的优势。不过，NIL目前仍需要克服一些技术瓶颈，比如在导入量产环节容易因空气中的细微尘埃影响而行程瑕疵。
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