佳能推出纳米压印半导体制造设备，执行电路图案转移
自日本佳能(Canon)官网获悉，10月13日，佳能宣布推出FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备，该设备执行电路图案转移，这是最重要的半导体制造工艺。
（FPA-1200NZ2C 图源:Canon)
据悉，除了现有的光刻系统外，佳能还将采用纳米压印(NIL)技术的半导体制造设备推向市场，扩大其半导体制造设备阵容，以满足从最先进的半导体设备到现有设备的广泛需求。
佳能官方介绍称，其NIL技术可实现最小线宽14nm的图形化，相当于生产目前最先进的逻辑半导体所需的5nm节点。随着掩模技术的进一步改进，纳米压印光刻有望实现最小线宽为10nm的电路图案，相当于2nm节点。此外，新产品采用新开发的环境控制技术，可抑制设备内细颗粒污染，使精细复杂电路的形成成为可能，有助于制造尖端半导体器件。
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