ROHM建立8V闸极耐压150V GaN HEMT量产体制
半导体制造商ROHM已建立150V耐压GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量产体制，该系列产品的闸极耐压（闸极-源极间额定电压）高达8V，非常适用于基地台、数据中心等工控设备和各类型IoT通讯装置的电源电路。
EcoGaN首波产品 GNE10xxTB系列?有助基地台和数据中心实现低功耗和小型化
一般来说，GaN组件具有优异的低导通电阻和高速开关性能，有助降低各种电源功耗和实现外围组件小型化。但其闸极耐压很低，因此在开关工作时的组件可靠性方面尚存在课题。针对该课题，ROHM新产品透过独创结构，成功将闸极-源极间额定电压从过去的6V提高到了8V。也就是说，在开关过程中即使产生了超过6V的过冲电压，组件也不会劣化，有助提高电源电路的设计余裕和可靠性。此外，该系列产品采用支持大电流且具有出色散热性的通用型封装，将使安装工程的操作更加容易。
新产品于2022年3月起开始量产，前段制程的制造据点为ROHM Hamamatsu （日本滨松市），后段制程的制造据点为ROHM（日本京都市）。
ROHM将有助节能和小型化的GaN组件产品系列命名为「EcoGaNTM」，致力大幅提高组件性能。今后，ROHM将继续研发融合「Nano Pulse Control」等模拟电源技术的控制IC及模块，透过可充分发挥GaN组件性能的电源解决方案，助力永续发展社会的实现。
名古屋大学 工学研究所 山本真义教授表示，今年日本经济产业省制定了2030年新建数据中心节能30%的目标，目前距实现该目标只有不到10年的时间。然而，这些产品的性能不仅涉及到节能，还攸关到社会基础设施的坚固性和稳定性。针对今后的社会需求，ROHM研发了新的GaN组件，不仅节能性更佳，而且闸极耐压高达8V，可以确保坚固性和稳定性。从该系列产品开始，ROHM将透过融合自豪的模拟电源技术「Nano Pulse Control」，不断提高各种电源效率，在不久的将来相信会掀起一场巨大的技术革新浪潮，进而在2040年的半导体和资通讯业界实现碳中和的目标。
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