首颗自研2D MLC NAND Flash！江波龙构建完整的存储芯片垂直整合能力
江波龙研发布局突破障碍，进入集成电路设计领域，产品和服务得到客户的高度认可。SLC的自主研究 NAND Flash系列产品实现大规模量产后，首款自研32Gb 2D MLC NAND Flash最近也出现了。本产品采用BGA132包装，支持标志 数据访问带宽可达400MB/DDR模式s，预计将应用于eMMCC、SSD等产品为公司存储产品组合带来了更多的可能性。 随着自研2D MLC NAND 随着Flash的推出，江波龙将继续深化半导体存储品牌企业的定位和布局，不断提升核心竞争力。
越过高门槛NAND 自主研发Flash芯片
近年来，江波龙在储存芯片的自主研发上投入了大量精力和资源。公司引进了一批具有20多年存储芯片设计经验的高端人才。团队不仅精通闪存芯片的设计技术，而且对流片工艺和产品生产工艺有深入的了解，对4xnm有深入的了解、2xnm、Flash工艺节点的产品，如1xnm，经验丰富。在此基础上，公司可根据特定需要设计不同容量和接口的闪存芯片，为客户提供定制服务。 在产品测试方面，江波龙自主研发NAND Flash产品通过嵌入式DFT电路和公司自主开发的测试平台，实现了高效的生产测试，以确保交付给客户的闪存芯片具有高度的一致性和可靠性。
上下求索解决存储芯片设计每一步的技术问题
存储芯片设计的每个阶段都有其独特的挑战和重要性。从逻辑功能、模拟电路设计、模拟验证、物理设计等方面，需要精心规划和严格实施，以确保最终产品的实现。 MLC NAND Flash芯片需要准确控制存储在存储单元中的电荷数量，以确保数据读取和写入的稳定性。一方面，为了满足这一要求，需要设计高精度的模拟电路，以准确地产生读写存储单元所需的操作电压；另一方面，需要精心设计算法来控制操作顺序和电压，使算法能够适应工艺特性（特别是新工艺），实现尽可能低的能耗。将微控制器嵌入芯片中，可以修改固件，从而实现更灵活的算法控制。为了使数据存储更可靠，芯片还嵌入了温度传感器，可以与算法相匹配，实现更准确的控制。 此外，为了实现接口访问的高带宽，还需要设计高速数据读写通路。该通道包括高速读出放大器、高速和-串/串-转换逻辑和冗余替换电路，每个关键信号的延迟都需要在电路设计和物理地图上准确匹配。 目前，江波龙有SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash产品的设计能力将通过完善的工程和质量控制能力逐步扩展更丰富的Flash产品系列。
双管齐下DRAM芯片自研测试平台
除NAND外 江波龙继续在Flash芯片领域努力，对DRAM芯片进行了深入的研究和探索。2023年，该公司推出了复合存储NMCP，该产品将开发自己的SLCC NAND Flash与自研测试平台验证的LPDDR4x合并包装，实现高频、低消耗、宽温运行的优良特性，充分满足5G网络模块的存储需求。公司凭借深厚的DRAM芯片技术积累和丰富的测试经验，成功建立了完善的ATE测试平台和SLT系统级测试平台，能够在芯片测试阶段高效完成DRAM单体测试，显著缩短单个测试时间，降低成本。 布局封装测量制造
构建完整的存储芯片垂直集成能力
江波龙从芯片设计、产品化到生产测试，构建了存储芯片的完整垂直集成能力。在元成苏州和智忆巴西的帮助下（Zilia）密封测试的制造能力不仅实现了创新设计，而且进一步增强了存储芯片领域的竞争力。 其中，元成苏州率先在中国实现了多种NAND Flash、DRAM、MCP产品量产，在芯片包装和测试领域具有丰富的行业经验，通过引进SDBG、BSG、DB、WB、MD、FC等先进的包装测试设备不断完善信号仿真、工艺开发、SiP级、多芯片、高堆叠等专业能力，为汽车规级、工规级等高端自研存储芯片提供了强有力的技术支持。此外，元成苏州还建立了MES、RMS、为了保证生产工艺和产品的灵活高效，实现2DID等防呆系统，为客户提供全方位的包装测试服务。此外，元成苏州还建立了MES、RMS、2DID等防震系统为客户提供全方位的包装测试服务，确保柔性高效的生产工艺和产品实现。智能记忆巴西（Zilia）江波龙可以更好地关注自身主营业务的海外市场发展，赋能国内客户的海外业务。 未来，江波龙将继续大力投资储存芯片的自主研发，深入挖掘NAND Flash、DRAM存储芯片的应用潜力与公司现有的产品线形成协同效应，充分结合元成苏州和智忆巴西（Zilia）芯片密封测试制造能力，提高生产效率和产品质量，为客户提供更高质量的存储服务。不断提升一体化存储方案的核心竞争力。
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