两个GaN项目签约福州新区
近日,核心半导体氮化镓晶圆厂项目与福州镓谷氮化镓外延片项目签约福州新区。
核心半导体氮化镓晶圆厂项目由福建核心半导体有限公司建设,核心半导体成立于2023年12月,注册资本50亿元。
福州镓谷氮化镓外延片项目由福州镓谷半导体有限公司建设,主要从事第三代半导体的研发和生产。预计投资10亿元,土地86亩,年产能24万片。据报道,镓谷半导体成立于2022年,致力于第三代半导体材料GaN延伸的研发和生产,产品包括硅氮化镓、碳化硅氮化镓、蓝宝石氮化镓,主要用于电力电子和电力设备。
(来源:全球半导体观察/JSSIA整理)
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