2nm时代来临：ASML发布第三代EUV光刻机
最近，ASML交付了第三代极紫外线 (EUV) Twinscan光刻工具 NXE:投影镜头的数值孔径为3800E 0.33。与现有的 Twinscan NXE:3600D 与机器相比，该系统显著提高了性能。它是专门为采用尖端技术制造芯片而设计的，包括未来几年 3nm、2nm 和小节点。
ASML Twinscan NXE:3800E代表低值孔径 EUV光刻技术在性能(每小时处理的晶圆数量)和匹配加工覆盖方面的飞跃。每小时都可以使用新系统 30 mJ/cm^2 超过剂量处理 195 通过提升吞吐量，有望进一步提高晶圆的性能 220 wph。此外，新工具还提供小于的工具 1.1 nm 匹配机盖(晶圆对准精度)。
ASML 在 X 上面发布的一份声明透露:“芯片制造商需要速度。第一个 Twinscan NXE:3800E 它已经安装在一家芯片厂。该系统将为印刷先进芯片技术提供领先的生产力。”我们正在将光刻技术推向一个新的极限。”
4nm/5nm和逻辑制造商的生产 3nm 当级工艺芯片时，吞吐量的增加将会增加 Twinscan NXE:3800E 机器的经济效益。ASML Twinscan NXE:3800E 预计EUV的性能改进将显著缓解 技术的主要缺点之一是性能相对较低，从而实现更高效、更成本效益的芯片生产。这将使依赖 EUV 与苹果不同，工艺技术更容易被预算AMD、像英特尔、英伟达和高通这样庞大的芯片设计师所接受。此外，该工具用于美光、三星和 SK 内存制造商，如海力士，也很重要。
此外，Twinscan NXE:3800E 采用了增强性能 2nm 以及需要 EUV 双图案后续制造技术制造芯片尤为有用。机器覆盖层的改进将有利于 3nm 以下生产节点。
然而，像 NXE:3800E 这种机器的复杂性和功能成本都很高，每台机器的价格大约是 1.8 亿美元。如此高的成本意味着这些光刻工具的成本需要一段时间才能折旧。然而，对于 ASML 对于客户(包括一组选定的重要逻辑和内存制造公司)，NXE:3800E 为提高其尖端芯片的生产能力提供了一种途径。这对这些公司来说非常重要，因为他们努力满足全球对半导体增长的需求，扩大生产能力，管理芯片制造的经济性。引入 NXE:3800E 等等，更先进，更高效 EUV 扫描仪对实现这些目标至关重要。
展望未来，ASML并不满足于现状，计划使用Twinscannn NXE:4000F 进一步创新的形式，这是另一代低值孔径 EUV 预计扫描仪 2026 大约一年后发布。这一持续发展强调了这一点 ASML 承诺促进低值孔径-NA EUV 尽管即将使用高数值孔径光刻工具，但制造技术。
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