英特尔High NA EUV光刻机有望在三代节点沿用

4 月 22 英特尔最近宣布完成世界上第一个商业用途 High NA EUV 安装光刻机。

在上周的电话会议上，英特尔院士马克・菲利普斯（Mark Phillips）表示这个消费合同 3.5 1亿美元(目前约 25.38 一亿元人民币)庞然大物将在年内启用。

菲利普斯是英特尔OEM逻辑技术开发部门的光刻、硬件和解决方案总监。他说英特尔今年晚些时候会 High NA EUV 光刻机投入工艺开发。

英特尔将在 18A 尺度的概念验证节点 High NA EUV 和传统 0.33NA EUV 测试光刻的混合使用，然后进行测试 14A 进入商业化量产阶段的节点。

菲利普斯预测 High NA EUV 光刻机至少可以在三代未来节点上使用，从而突破光刻技术的名义尺度 1nm 以下量级。

菲利普斯认为，未来光刻技术的发展将进一步缩短光波长 6.7nm 包括明显更大的光学组件在内的大量新问题将被引入；在他看来，更高的数值孔径（Hyper NA）技术方向是可能的。

对于 High NA EUV 菲利普斯说，英特尔和光刻带来的单芯片理论一样 EDA 企业共同开发芯片“缝合”技术，方便设计师使用。

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