消息称SK海力士HBM4内存基础裸片有望采用台积电7nm制程
4 月 23 日消息，韩媒 The Elec 在报告中，预测 SK 海力士将在 HBM4 内存的基本裸片（Base Die）部分采用台积电 7nm 制程。
目前台积电 7nm 大部分系统产能已迁移至已迁移 6nm 因此，韩国媒体的表达更适合作为“7nm” 系“工艺理解。
HBM 内存的基本裸片是 DRAM 堆叠底座也作为控制器负责与处理器通信。
SK 上周，海力士与台积电签署了合同台积电 HBM 内存合作谅解备忘录，双方合作的第一个重点是 HBM 提高基本逻辑芯片的性能。
SK 海力士以前在那里 HBM 基本裸片采用储存半导体工艺制造； HBM4 中间，台积电将采用先进的逻辑工艺 SK 为了实现更丰富的功能和更好的效果，海力士OEM有助于满足客户的定制 HBM 的需求。
SK 目标是海力士 2026 年实现 HBM4 内存投产。
咨询机构 TrendForce 与持有不同的集邦咨询 The Elec 去年的观点 11 月认为 HBM4 基本裸片将基于 12nm 工艺。
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