台积电2nm芯片将于2025年投产

据悉，该半导体巨头计划在今年晚些时候，投产首批3纳米工艺，并在?2025年底前做好2纳米工艺的准备。

　　台积电在第一季度财报电话会议上宣布，正在开发下一代工艺节点。据悉，该半导体巨头计划在今年晚些时候，投产首批3纳米工艺，并在?2025年底前做好2纳米工艺的准备。

　　在电话会议上，高盛公司的分析师Bruce?Lee向台积电首席执行官魏哲家(C.C.?Wei)，提及关于通货膨胀和整个经济的问题。魏哲家回应称，台积电作为全球领先的代工企业，有能力应对市场的波动。

　　此外，魏哲家表示：“台积电的N2开发正在进行中，N2将持续延续技术领先地位，支持客户的增长。而且计划在2025年投产，预生产将在2024年开始”。

　　据悉，在N2上，台积电首次使用?GAA?FET(全环绕栅极晶体管)，逐渐取代?finFET?(鳍式场效应晶体管)。

　　今年下半年，台积电将把N3工艺投入生产。一年后，或者可能更早，它将准备将N3E工艺投入生产，这是N3的"增强性能、功率和产量"版本。

　　台积电预测，HPC(高性能计算)将是其今年增长最快的领域。上一季度HPC产生了41%的收入，仅比智能手机产生的40%略高。

　　物联网和汽车排在第三和第四位，分别创造了8%和5%的收入。

查看全文

作者最近更新