我国攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
近日，西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心郝跃院士、张金成教授研究小组李祥东团队在蓝宝石基增强e-GaN(氮化镓)电力电子芯片量产技术研发取得突破。
西安电子科技大学广州研究院李祥东团队与广东致能科技公司共同征服≥1200V超薄Gan缓冲层外延p-GaN格栅HEMTS设计制造、可靠性加固、高硬度材料密封测试等一套批量生产技术，成功开发了2V以上的阈值电压、6英寸蓝宝石基增强型E-GaNHEMTs晶圆，耐压3000V，展示了替代中高压硅IGBT和Sic MOSFET的巨大潜力。IEEEEE发表在新出版的相关研究内容上 Electron Device Letters由国际电子技术与信息科学工程师协会主办的电子设备通信，并入选封面highlight论文。
西安电子科技大学广州研究院在该项目的研究中，还成功开发了8英寸Gan(氮化镓)电力电子芯片。IEEEEEEE发表的相关内容 Transactions on Electron 由Devices主办的《电子器件学报》被国际著名半导体行业杂志Semiconductor Today(今日半导体)专题报道。研究结果首次证明了8英寸蓝宝石基GaNHEMTS晶圆批量生产的可行性，打破了传统GaN技术难以同时考虑大尺寸、高耐压、低成本的国际问题，预计将得到推广≥1200V中高压氮化镓电力电子技术发生变化。
(来源:中国电子报)
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