意法半导体与台积电共同开发氮化镓工艺技术
据外媒报道，欧洲芯片巨头意法半导体（ST Microelectronics NV）与代工厂台积电（TSMC）建立了合作伙伴关系，共同开发氮化镓制造工艺技术。意法半导体表示，根据交易条款，它将能够设计分立和集成的GaN器件，并使用台积电的GaN工艺技术。
显然，台积电将成为意法半导体生产氮化镓的代工厂。目前尚不清楚意法半导体是否会在工艺中拥有任何知识产权，或者是否会授权该技术以允许内部进行GaN产品的制造，这将与台积电的基本业务模式背道而驰，意法半导体称该协议是对其内部研发以及与CEA-Leti合作的补充。
GaN是一种宽带隙半导体，在功率和RF应用中均比硅具有优势，包括在较高温度下工作时，在较高功率下具有较高的效率和较高的开关速度。意法半导体表示，GaN分立器件和集成电路将使意法半导体能够为中高功率应用提供解决方案，例如车载汽车转换、混合动力和电动汽车充电器等。
意法半导体在碳化硅功率集成电路生产方面也有重大举措。意法半导体（ST）公司汽车与离散事业部总裁马可·蒙蒂（Marco Monti）说：“台积电是可信赖的代工合作伙伴，可以满足意法半导体目标客户的挑战性、可靠性和路线图发展要求。这种合作补充了我们在法国图尔的工厂以及与CEA-Leti开展的有关功率GaN的现有活动，GaN代表了功率和智能功率电子学以及工艺技术的下一个重大创新。”
台积电业务发展副总裁Kevin Zhang表示：“台积电领先的GaN制造专业知识，再加上意法半导体的产品设计和汽车级认证能力，将为工业和汽车电源转换应用提供更大的能源效率改善，而这些应用更环保、更友好并有助于加速车辆的电气化。”
意法半导体表示，预计将在今年晚些时候向主要客户提供功率GaN分立器件的样品，随后几个月内将提供GaN IC产品。
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Null
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