霍尔效应测试仪-电磁铁型
可测试材料:
半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料，低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料，高阻抗材料：半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等
霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。霍尔效应测试仪主要用于测量电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或固体材料均可。
仪器系统构成：电磁铁、高精度电源、高斯计、高精度恒流源、高精度电压表、霍尔探头、电缆、标准样品、样品安装架、系统软件。
技术参数：
* 电磁铁磁场：间距 10mm情况下10700 高斯，间距20mm 情况下7000 高斯
*样品电流：50nA～50mA（*小可调节电流为 0.1nA）
*测量电压：0.1uV～30V
* 提供各类测试标准材料，各级别霍尔器件（灵敏度与精度不同）
*分辨率：低至1GS
*磁场范围：0-±1T
*配合高斯计或数采板可与计算机通讯
* I-V 曲线及 I-R 曲线测量等 ▲ 电阻率范围：5*10-5～5*102Ω.cm
*电阻范围：10mOhms～ 6MOhms
*载流子浓度：5*1012～5*1020cm-3
*霍尔系数：±1*10-2～±1*106cm3/C
*迁移率：0.1～108cm2/volt*sec
*测试全自动化，一键处理
*专业的欧姆接触组合套件
可测试材料:
半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料，低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料，高阻抗材料：半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等
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