InSb 磁 敏 电 阻 元 件
1.灵敏度高,输出信号幅值大;
2.体积小,结构简单,裸体芯片;
3.有单磁阻元件两引出线，双磁阻元件差分结构的三引线和双独立磁阻元件结构四引线;
4.磁阻效应变化很大.
Magneto-Resistor Serial
Magneto-Resistor Component
InSb 磁 敏 电 阻 元 件
采用半导体薄膜工艺技术制作差分结构高灵敏度半导体InSb的磁敏电阻元件;能对旋转速度、角度、位置和方向等物理量转换成电信号.具有下列特点: 1.灵敏度高,输出信号幅值大;
2.体积小,结构简单,裸体芯片;
3.有单磁阻元件两引出线，双磁阻元件差分结构的三引线和双独立磁阻元件结构四引线;
4.磁阻效应变化很大.
单相磁敏电阻传感器(芯片)的技术指标:
| SMR-1A（差分式） | SMR-1B（差分式） | SMR-1C(单磁阻) | |
| 工作电压 | 5V | 5V | 3V |
| R B/Ro (B=3000GS) | 大于2.8 | 大于2.8 | 大于2.6 |
| 磁场范围（Gs） | 0—10000GS | 0—10000GS | 0—10000GS |
| 标称总阻值(Ω) | 160 ---1000 | 160 ---600 | 100--500 |
| 标称阻值对称性 | 小于30℅ | 小于15℅ | ━━ |
| 磁场范围 | 0 --------- 1.0T | ||
| 频率特性 | 0 ---- 1000 KHz | ||
| 温度系数Tcv | - 2.0 %/ ℃ | ||
| 工作温度 | - 40℃ ------- +120℃ | ||
| 参考外形尺寸(裸片) | 5.2*3.0mm, | 4.30*2.00mm | |
*. 1. 双磁阻元件差分结构的三引线,裸片尺寸是: 5.2*3mm ; SMR-1A SMR-1B
2. 双独立磁阻元件结构的四引线,裸片尺寸是: 4.80*2.8mm; SMR-1A SMR-1B.适合于多通道磁性墨水图形检测.
3. 单磁阻元件双引线结构, 裸片尺寸是: 4.30*2.00mm; SMR-1C
应用:
1. 旋转齿轮和运动齿条的速度,位置,角度,方向的检测;
2. 高速齿轮或齿条传感器;
3. 磁性墨水文字图形识别传感器;
4. 无接触电流检测器，磁场检测。
5. 磁敏震动、位移传感器
5. 磁阻效应实验(大学磁阻效应实验)。
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