三星电子推进存储芯片产能结构性调整

11月21日消息，据媒体报道，三星电子正启动存储芯片产能的重大战略调整，计划将韩国平泽与华城工厂的部分NAND闪存产线转换为DRAM生产线。

根据近期行业消息，三星电子正在推进其存储芯片产能的战略性重组。据悉，该公司计划将位于韩国平泽及华城的部分NAND闪存生产线，转而用于生产DRAM产品。

此次调整主要受当前市场趋势驱动。行业分析显示，三星对NAND闪存市场的前景愈发审慎，而对DRAM的市场需求则展现出积极应对态度。这种差异化的市场策略，正逐步在生产布局中体现出来。

事实上，此前已有行业报告指出，全球四大NAND闪存制造商——三星电子、SK海力士、铠侠及美光——均计划自2025年下半年起削减NAND产量。这一行业性减产预期，或将进一步推升闪存市场价格。

与此同时，DRAM市场正处于剧烈波动之中，供需失衡导致价格持续上涨。有消息表明，部分服务器客户已愿意为获取DDR5模块支付高达70%的溢价，但仍然难以满足采购需求。

行业专家预测，当前的DRAM供应紧张局面可能持续多年，部分厂商已开始提前布局2027年的产能分配谈判，以确保未来供应稳定。

值得注意的是，在缩减韩国本土NAND产能的同时，三星计划通过提升中国西安工厂的NAND闪存产量，实现整体产能的全球平衡，从而保障其NAND供应链的稳定性。

查看全文

作者最近更新