英特尔与ASML联合完成第二代High NA EUV光刻机验收测试

小道芯信息 20251216

英特尔与ASML联合完成第二代High NA EUV光刻机验收测试

英特尔代工服务部门于12月15日发布官方公告，确认已联合ASML完成首台第二代High NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200B的验收测试。该设备标志着先进制程制造能力迈入新阶段。

相较于主要面向工艺开发的EXE:5000机型，EXE:5200B更侧重量产应用。设备搭载更高功率与更高剂量的EUV光源，晶圆处理效率提升至每小时175片。此外，套刻精度优化至0.7nm，搭配新型晶圆存储结构，显著提升了工艺稳定性与产出一致性。

在同期发布的博客中，英特尔代工部门还披露了其与比利时微电子研究中心（imec）的合作成果。双方于2025年IEEE国际电子器件会议（IEDM）上展示了针对2DFET器件中氧化物帽层的选择性凹陷刻蚀技术，并介绍了在12英寸试验生产线上制造出的具备大马士革顶接触结构的晶体管。

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