台积电美国3nm晶圆厂建设提速 预计2027年实现量产
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台积电美国3nm晶圆厂建设提速 预计2027年实现量产
12月19日，据《日经新闻》援引内部消息人士称，全球最大晶圆代工厂台积电（TSMC）正加速推进其在美国亚利桑那州的先进制程制造布局。按照最新时间表，该公司计划于2026年第三季度启动Fab 21第二座晶圆厂的设备搬迁作业，相关产线预计在2027年上半年完成安装，最早可能于2027年底前进入量产阶段。这一节点较此前预估的2028年提前了多个季度。
台积电在亚利桑那州的第二座晶圆厂基建工作已于今年内完成。在建筑主体结构及机械、电气和管道系统确认完工后，内部基础设施如电梯与暖通空调（HVAC）系统随即进入安装阶段。完成这一阶段后，晶圆厂将进行环境验证，包括温湿度、压力等关键参数的稳定测试，以确保满足半导体制造所需的洁净室标准。
根据设备类型不同，生产工具的安装与调试周期存在差异。部分先进设备如深紫外（DUV）和极紫外（EUV）光刻机，因其高度复杂性，通常需要更长时间完成部署和校准。即便如此，从首批设备安装到位、系统集成到小批量试产，整个流程通常仍需数月时间。尽管产能初期有限，但台积电仍有望在2027年底前在该厂区实现3nm（N3）工艺节点的批量制造。
除3nm产线外，台积电还在亚利桑那州推进第三座晶圆厂的建设工作。该厂规划采用2nm（N2）及1.6nm（A16）工艺节点，预计在2025年4月启动建设。公司正积极争取早日完成项目部署，以便提前在美国本土实现更先进制程的芯片量产。
在10月的财报电话会议上，台积电首席执行官魏哲家表示，美国主要客户以及联邦与州政府的持续合作为产能扩张提供了有力支持。目前公司各项执行进度良好，项目推进已取得实质性进展。此外，面对市场对人工智能芯片的强劲需求，台积电正加快技术升级步伐，为后续N2及更先进制程的量产做好准备。
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