LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357：结型场效应晶体管（JFET）输入运算放大器

作为首批集成JFET输入结构的单片运算放大器，该系列器件采用了高精度的BI-FET™技术，结合了高电压JFET与标准双极性晶体管的优势。其性能优势包括低输入偏置电流、低输入失调电流、低1/f噪声拐点，以及出色的共模抑制比和直流增益，使其适用于高精度模拟信号处理领域。

该系列运算放大器在单芯片上集成了高精度的JFET输入级与双极性晶体管输出级，具备出色的线性度与动态响应能力。其设计兼顾了高转换速率、大带宽、快速建立时间和极低的噪声性能，适用于对信号保真度要求极高的精密测量与控制系统。

由于JFET结构具备较高的栅极到源极与漏极的击穿电压，因此无需额外的输入钳位电路，即可支持较大的差分输入电压范围。同时，输入电压不得超过负电源电压，否则可能引发大电流，导致器件损坏。

当任一输入端电压超过负共模限制时，输出将被强制拉高，从而可能引发相位反转。但此状态下不会发生锁存现象，只要输入电压重新回到共模范围内，系统即可恢复正常工作。

在正共模输入条件下，放大器可正常工作，甚至允许共模电压略高于正电源电压（约100 mV）。这一特性使其适用于电源电流监控与限制等应用场景。

为避免因电源极性接反而造成损坏，建议在电路设计中加入防反接保护措施。此外，偏置电流由FET电流源提供，因此输出电流基本不受电源电压波动影响。

在电阻性反馈路径中，反馈极点的频率由并联电阻与输入电容决定。在多数情况下，该极点频率远高于系统闭环带宽，因此对系统稳定性影响较小。然而，当极点频率接近闭环带宽六倍以内时，建议在输出与输入之间加入一个小电容，以提升稳定裕度。

1. 输入失调电压（V_OS）调节

可使用25 kΩ电位器对V_OS进行调节，电位器滑动端应连接至正电源。若采用温度系数低于100 ppm/°C的电位器，调节引入的额外漂移约为0.5 µV/°C/mV。总漂移通常在5 µV/°C以内。

2. 容性负载驱动

LF155/6建议使用5 kΩ电阻，LF357则推荐1.25 kΩ电阻。得益于优化的输出级结构，这些放大器可驱动最大0.01 µF的容性负载，同时保持稳定。过冲幅度≤20%，建立时间ts约为5 µs。

3. 大功率带宽性能（LF357）

在失真度≤1%、输出摆幅为20 V_p-p的条件下，LF357的功率带宽可达500 kHz，适用于高速信号放大与功率传输。

4. 建立时间测试电路

在单位增益反相配置中，LF155/6可实现10 V步进响应，LF357则设置为增益AV = -5。FET探头用于隔离探头电容，确保测试精度。

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