晶圆级自封装MEMS红外发射器实现高性能与高可靠性

微迷 20260305

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厦门大学的研究团队设计并制备了一种晶圆级自封装MEMS红外发射器(SPIRE),旨在提升器件在高温及环境空气中的耐久性。该器件的核心设计方案为:将铂(Pt)丝发热元件与温度传感元件集成于硅膜表面,并采用硅-玻璃阳极键合技术将其真空封装于玻璃腔内。

晶圆级自封装MEMS红外发射器实现高性能与高可靠性

非色散红外(NDIR)气体传感器依靠气体对特定波长红外光的选择性吸收原理进行检测,因其具备寿命长、灵敏度高、稳定性优良和维护成本低等优点,被广泛应用于环境监测、工业过程控制及医疗设备等领域。这类传感器通常由三个关键模块组成:红外光源、气体腔室以及配备带通滤光片的红外探测器。

根据红外光的产生方式,红外发射器通常分为三种类型:红外激光器、红外发光二极管(LED)和热辐射源。其中,基于MEMS技术制造的微型热辐射红外发射器展现出诸多优势,例如微型化、低功耗、快速响应和较低的制造成本,因而在NDIR气体传感器中具有显著应用潜力。

近日,来自厦门大学的研究团队开发了一种晶圆级自封装MEMS红外发射器(SPIRE),旨在提升器件在高温及恶劣环境中的耐用性。该器件采用了创新性的结构设计:将铂(Pt)丝作为发热元件,并集成温度传感模块于硅膜之上,通过硅-玻璃阳极键合工艺将整个结构封装于真空玻璃腔中,从而实现器件的自我封装。

在硅膜的另一侧,研究人员引入了黑硅纳米结构,以提高红外发射效率。通过COMSOL Multiphysics软件进行多物理场仿真分析,团队对器件的电学、热学及力学行为进行了优化。该发射器通过标准晶圆级MEMS工艺完成制造。

实验测试结果表明,该红外发射器在波长为6.1 μm、3 dB带宽为52 Hz的条件下,可输出172 mW/Sr/µm的辐射功率,驱动功率为850 mW时,表面温度可达到400℃。通过加速老化测试(AAT)和寿命预测模型评估器件的长期稳定性,结果显示在500℃工作环境下,其预期寿命可达10年。

相关研究成果题为《Wafer-level self-packaged MEMS infrared emitters with high-emissivity black silicon surface》,发表于《Microsystems & Nanoengineering》期刊。

MEMS红外发射器的工作原理与设计要点

MEMS红外发射器的核心原理基于焦耳热效应,即电流流经电阻材料时产生热量。为实现低功耗、高效热光转换和快速热响应,研究人员设计了一种悬浮于玻璃腔体之上的硅膜结构,形成低热质量系统。铂丝作为发热材料被沉积在硅膜表面,其具备耐高温、工艺兼容性强和成本可控等优势。

黑硅纳米结构被引入以增强表面红外辐射性能,不仅有助于提升热光转换效率,还能通过辐射自冷却机制加快调制响应速度。此外,自封装结构将发热元件与外界环境隔离,从而显著提升了器件在高温和复杂环境中的稳定性和耐久性。

仿真与结构优化

为优化结构设计,研究人员借助COMSOL Multiphysics软件对器件的电-热-力耦合行为进行了三维有限元(FEM)仿真,图2展示了相关模拟结果。

图1展示了自封装MEMS红外发射器的设计结构。

图3展示了带有/不带黑硅纳米结构的发射器在不同放大倍率下的显微图像,可见黑硅层完整覆盖器件表面,有效增强高温和低温区域的红外辐射。

性能表征与可靠性分析

研究人员对发射器的关键性能指标进行了系统测试,包括电学特性、时间与频率响应以及长期稳定性。相关数据展示在图4至图6中,表明该器件在各项性能上均达到较高水平。

图4:电学性能表征

图5:时间与频率响应特性

图6:长期可靠性分析

总结

该研究成功开发了一种具备高发射率黑硅表面的自封装MEMS红外发射器,通过集成铂丝发热元件与温度传感模块,并采用硅-玻璃阳极键合工艺,实现了器件的气密封装。该结构有效隔离发热元件与环境空气,保障了其在高温条件下的稳定性。黑硅纳米结构的引入进一步提升了发射效率,使硅膜兼具热支撑和封装功能。该器件在非色散红外气体传感器领域展现出广阔的应用前景。

论文链接:https://doi.org/10.1038/s41378-025-01114-y

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