SK Keyfoundry发布450V–2300V SiC平面MOSFET工艺平台，赢得1200V产品订单，全面展开碳化硅代工业务

韩国8英寸晶圆代工企业SK Keyfoundry近日宣布，已成功研发出覆盖450V至2300V电压范围的SiC（碳化硅）平面MOSFET工艺平台。这一进展标志着该公司在化合物半导体代工领域迈出了关键一步。

该工艺平台已在高压条件下完成全面测试，验证了其出色的可靠性与稳定性。同时，通过工艺流程的系统优化和关键制程的精准控制，良率提升至90%以上，显著增强了产品竞争力。SK Keyfoundry还提供了“定制化工艺支持服务”，可根据客户的具体需求对电气性能和规格参数进行调整。

SK Keyfoundry近期已与一家专注于SiC器件设计的新客户签署1200V产品开发合同，并开始推进相关工作。该产品将用于工业设备中，重点关注热效率的优化与提升。在完成样品评估与可靠性测试后，计划于2027年上半年启动量产。

此次工艺平台的完成，是SK Keyfoundry并购SiC专业企业SK Powertech后整合技术资源取得的初步成果。技术研发迅速获得客户订单，也表明其已具备直接进入市场的成熟度与商业化能力。

SK Keyfoundry首席执行官Derek D. Lee指出：“碳化硅平面MOSFET平台的开发，标志着公司在全球化合物半导体领域确立了独立技术领导地位。我们将凭借高良率与高可靠性的差异化工艺，继续拓展高压功率半导体解决方案，以满足全球客户不断增长的需求。”

SK Keyfoundry总部位于韩国，为模拟与混合信号半导体器件提供代工服务，产品广泛应用于消费电子、通信、计算、汽车和工业等多领域。凭借覆盖多个工艺节点的多样化技术组合，SK Keyfoundry能够灵活响应全球客户不断变化的需求。更多信息请访问官网：www.skkeyfoundry.com。

稿源：美通社

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