三星回应存储芯片市场波动：结构性紧缺预计延续至2028年
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三星回应存储芯片市场波动：结构性紧缺预计延续至2028年
据业内消息显示，三星电子内部管理层已对当前存储芯片供应紧张的市场状态产生谨慎态度。尽管当前行业正处于因供需失衡带来的高景气阶段，但三星内部评估认为，这种增长态势或仅能维持1至2年，随后行业可能会重新步入下行周期。
根据三星的预判，全球存储芯片市场将在2028年前后迎来关键转折点。为应对这一趋势，三星正在双轨并行：一方面积极把握AI驱动的高利润产品机遇，另一方面则强化内部运营效率，防止重蹈此前过度投入的覆辙。
作为行业另一巨头，SK海力士同样表达了类似的策略思路。该公司强调，在未来一段时期内，产能扩张将采取更为审慎的态度。
此次存储芯片市场的紧张局面并非短暂波动，而是由生成式AI技术的快速发展所带来的结构性需求激增所致。市场核心矛盾集中于高端产品与产能资源之间的分配。
当前，AI服务器对DRAM和NAND存储的需求量分别是传统服务器的8到10倍。其中，作为AI计算平台关键组件的HBM（高带宽内存），其供需缺口已达到50%至60%。
预计到2026年，HBM市场规模将实现接近60%的同比增长，届时其市场占比将接近DRAM整体市场规模的四分之一。目前，三星与SK海力士的DRAM业务中，HBM产品的销售占比已超过50%。
为满足AI领域的激增需求，三星及其他两家主要存储芯片制造商已将70%以上的新增及可调整产能优先配置至HBM和先进制程DRAM产品。此举直接导致消费级存储产品，尤其是低密度NAND芯片供应紧缺。以主流DDR4 8Gb颗粒为例，其价格自2025年低谷的3.2美元/颗，上涨至15美元/颗，涨幅高达369%。
存储价格的飙升已对下游产业造成连锁反应。手机、电脑等终端产品的制造成本大幅上升，部分厂商不得不提高售价或调整产品配置。据预测，全球智能手机出货量将因成本压力而同比下降约12.9%。
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