英诺赛科在北京知识产权法院赢得两项关键专利诉讼
电子创新网
英诺赛科在北京知识产权法院赢得两项关键专利诉讼
2026年4月24日，英诺赛科收到北京知识产权法院的两项专利行政诉讼判决结果。法院全面支持英诺赛科提出的主张，维持了其两项氮化镓核心发明专利的有效性，并驳回了英飞凌提出的无效请求。此举标志着英诺赛科在与英飞凌的专利争议中再度取得重大进展。
早在2025年11月19日，国家知识产权局已作出决定，确认英诺赛科的两项核心发明专利权利要求全部有效。对此结果，英飞凌表示不服，并向北京知识产权法院提起行政诉讼。此次法院判决进一步从法律层面确认了英诺赛科专利的高技术含量与稳定性。
值得注意的是，这两项涉案专利此前曾被英诺赛科用于起诉英飞凌涉嫌专利侵权。北京知识产权法院的最终裁决不仅维护了英诺赛科在专利保护方面的合法权益，也增强了其在氮化镓技术领域的竞争地位。
关于英诺赛科
英诺赛科（股票代码：02577.HK）是一家专注于氮化镓（GaN）工艺创新与功率器件制造的全球领先企业。公司致力于推动第三代半导体技术的发展，其产品在性能与可靠性方面树立了行业新标杆。
英诺赛科的产品矩阵覆盖从15V到1200V的广泛电压范围，包括晶圆、分立器件、集成功率IC及模组，适用于中低压与高压应用场景。凭借持续的技术创新和完善的专利布局，公司已形成强大的技术护城河。
当前，英诺赛科的氮化镓解决方案已被广泛应用于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源及工业电源等多个关键领域。通过不断优化器件性能与系统集成能力，公司正在加速第三代半导体技术的产业化进程。
来源：英诺赛科 INNOSCIENCE
查看全文
评论0条评论