JSM21364STR 700V 带使能和故障报告的三相半桥 IGBT/MOSFET 驱动芯片

深圳市杰盛微半导体有限公司 20260425

  • 功率半导体

电源管理芯片、MOSFETS场效应、二三极管、晶体管、单双三四象可控硅等产品。为消费类工业类,汽车级客户提供技术解决方案,诚招代理商,期待您的加盟!杨女士13824341110" data- data-is_biz_ban="0" data-service_type="2" data-verify_status="2">

在工业变频、家电驱动、新能源逆变等领域,三相半桥栅极驱动芯片是功率系统的 “心脏”,承担着弱电控制强电的关键桥梁作用。长期以来,中高压三相驱动市场被海外型号占据,国产芯片在耐压、保护、延时匹配、抗扰性能上存在短板,导致工程师在选型时面临供货紧张、成本高企、技术支持滞后等难题。

如今,杰盛微半导体推出JSM21364STR—— 一款700V 带使能与故障报告的三相半桥 IGBT/MOSFET 驱动芯片,SOP-28-300mil 封装,可直接对标 IRS21364,在关键参数上实现对等甚至优化,完美覆盖电机控制、变频家电、通用逆变、微型逆变器等主流场景,为国产功率驱动提供高可靠、高性价比、交期稳定的全新选择。



一、产品定位:对标国际主流,国产替代一步到位


JSM21364STR 定位工业级三相高压栅极驱动,核心对标市场主流型号 IRS21364,实现引脚兼容、功能一致、性能相当、保护完善,工程师可直接替换、无需改板,快速完成国产化切换,降低供应链风险与 BOM 成本。

该芯片专为N 沟道高压 IGBT/MOSFET打造,集成三路独立半桥驱动,支持自举浮动工作,最高耐压700V,逻辑电平兼容3.3V CMOS/LSTTL,内置欠压、过流、死区防直通、输入滤波等全套保护,具备外部使能、故障输出、RC 可编程故障清除三大系统级功能,是中小功率三相功率变换系统的理想驱动核心。


二、核心优势:7 大亮点,性能对标不妥协

1. 更高耐压余量,系统更安全

对比主流对标型号600V耐压,JSM21364STR 将浮动通道工作电压提升至700V,在母线电压波动、浪涌干扰场景下,提供更充足的电压裕量,显著降低高压击穿风险,适配更严苛的工业与家电环境。

2. 3.3V 直连 MCU,简化系统设计

芯片逻辑输入原生兼容 3.3V 电平,无需电平转换电路,可直接对接主流 DSP、MCU、ARM 控制芯片,减少外围器件,降低布局难度,提升系统集成度与可靠性。

3. 强悍抗扰能力,适配高频开关

  • dV/dt 耐受50V/ns,应对高频逆变的陡峭电压变化不误触发

  • VS 端口负压耐受 \\-9V\\,抵抗开关环路负冲,避免芯片闩锁

  • 内置输入滤波,滤除短脉冲干扰,提升 EMC 性能

4. 完善保护矩阵,守护功率器件

  • 欠压锁定(UVLO):VCC 欠压→全输出关断 + FAULT 报警;高侧 VB-VS 欠压→仅高边关断,分级保护更精准

  • 过流保护(ITRIP):检测过流立即关断六通道,FAULT 输出故障,支持 RC 外部编程自动清除时间

  • 防直通死区逻辑:内置死区时间,同相高低侧绝不同时导通,杜绝桥臂短路

  • 使能控制(EN):低电平立即关断全部输出,支持系统紧急停机

5. 通道延时精准匹配,高频更稳定

开通 / 关断传输延时典型 500ns,通道延时匹配<50ns,死区匹配<60ns,三相输出高度同步,有效降低电机转矩脉动、逆变谐波与开关损耗,适配2kHz–10kHz主流工作频率。

6. 驱动能力充沛,直接驱动功率管

栅极驱动电压12V–20V,输出推挽结构,峰值电流满足中小功率 IGBT/MOSFET 直接驱动,无需外置图腾柱,简化电路、降低成本。

7. 工业级品质,全温域稳定工作

工作温度 \\-40℃~125℃\\,结温耐受150℃,热阻200℃/W,通过严格 ESD 与可靠性测试,符合 RoHS 标准,满足车载配套、工业控制、户外逆变等严苛环境要求。

三、关键参数对标:对等性能,更优余量


为方便工程师直观对比,以下为 JSM21364STR 与对标主流型号核心参数对照表:

参数

JSM21364STR

IRS21364

优势

浮动通道耐压

700V

600V

耐压更高,系统更安全

逻辑兼容

3.3V/5V CMOS/LSTTL

3.3V/5V

一致,无缝对接主控

dV/dt 耐受

50V/ns

50V/ns

抗扰性能相当

VS 负压耐受

-9V

-9V

负压抵抗能力一致

驱动电压

12–20V

11.5–20V

范围一致,适配通用驱动

传输延时

500ns(典型)

500ns(典型)

动态性能对等

保护功能

UVLO / 过流 / 死区 / 使能 / 故障

UVLO / 过流 / 死区 / 使能 / 故障

功能完全兼容

故障清除

RC 外部编程

RC 外部编程

配置方式一致

封装

SOP-28-300mil

SOP-28

引脚兼容,直接替换

工作温度

-40~125℃

-40~125℃

工业级温域一致

数据来源:杰盛微 JSM21364STR 官方 Datasheet、公开竞品资料

从上表可见,JSM21364STR 在功能、时序、驱动、保护上与对标型号完全对等,并在耐压余量上实现提升,为系统提供更强可靠性,真正做到pin-to-pin 替代、功能兼容、性能不打折。




四、功能详解:从控制到保护,一站式解决方案


1. 输入输出逻辑:简单易用,稳定可靠

  • 输入:HIN1–3、LIN1–3(三相高低边边沿触发)、EN(使能)、ITRIP(过流检测)、RCIN(故障定时)

  • 输出:HO1–3(高侧)、LO1–3(低侧)

  • 逻辑规则:EN 低→全关;ITRIP 过流→全关 + FAULT 拉低;RC 充电完成→故障自动复位,适配主流控制系统时序。


2. 故障处理:智能检测,自动恢复

过流发生时,ITRIP 引脚检测到过阈值电压,芯片立即关断六通道,FAULT 引脚输出低电平报警;同时 RCIN 引脚通过外部 RC 网络充电,电压回升至阈值后自动清除故障,等待下一个有效输入边沿恢复输出,无需外部 MCU 干预,提升系统自愈能力。

3. 自举驱动:支持 100% 占空比,适配宽范围应用

高侧采用自举供电,在 VB-VS 满足欠压阈值条件下,可实现100% 占空比工作,支持电机调速、光伏逆变、不间断供电等场景,自举电路搭配快恢复二极管 + 低 ESR 陶瓷电容,保证高压侧稳定驱动。

4. 内置滤波:抗干扰更强,系统更稳

所有输入通道集成滤波功能,脉宽小于滤波时间的干扰信号被屏蔽,有效抑制 PCB 串扰、电机反电动势、开关噪声引起的误触发,降低 EMC 整改难度。


五、典型应用:覆盖主流三相功率场景


JSM21364STR 凭借700V 耐压、完善保护、三相集成、对标兼容的特性,广泛应用于:

  1. 电机控制:三相 BLDC/PMSM 电机、工业风机、水泵、伺服驱动

  2. 变频家电:空调压缩机驱动、洗衣机变频模块、热泵系统

  3. 逆变电源:通用逆变器、微型光伏逆变器、UPS 后备电源

  4. 工业驱动:变频器、伺服驱动、电动工具、工业机器人功率模块

在上述场景中,芯片可直接驱动600V/650V/700V等级 IGBT/MOSFET,单芯片实现三相驱动,大幅缩减 PCB 面积,降低系统复杂度与成本。


六、国产替代价值:打破依赖,稳定供货


当前功率半导体市场面临海外交期长、价格波动、技术支持弱等痛点,尤其工业级驱动芯片,国产化替代成为行业共识。

杰盛微 JSM21364STR 的推出,为行业带来三重价值:

  1. 供应链安全:国产自研,稳定量产,交期可控,摆脱海外型号供货风险

  2. 成本优化:同等性能下更具价格优势,降低整机 BOM 成本,提升产品竞争力

  3. 技术支持:本土团队快速响应,提供原理图参考、PCB 布局指南、调试支持,加速产品落地

杰盛微始终专注于功率驱动、电源管理、功率器件领域,坚持自主研发与品质管控,JSM21364STR 是公司在三相高压驱动赛道的又一力作,助力中国智造从 “选型受限” 走向 “自主可控”。


七、PCB 设计建议:助力一次成功


为发挥芯片最佳性能,杰盛微提供核心布局建议:

  1. 去耦电容就近放置:VCC-COM、VB-VS 之间就近放置低 ESR 陶瓷电容,缩短环路

  2. 自举回路最小化:自举二极管、电容靠近芯片,减小寄生电感,保证充电效率

  3. 散热优化:散热焊盘接大面积 COM 地铜皮,提升散热能力

  4. 开关节点隔离:VS 层避免与地层大面积重叠,降低噪声耦合

  5. 栅极回路:驱动电阻靠近功率管栅极,减小栅极环路,抑制振铃

遵循以上原则,可有效提升系统稳定性、降低 EMI,保障芯片长期可靠工作。



八、总结:国产三相驱动,迈入对标时代


杰盛微 JSM21364STR 以700V 高耐压、对标 IRS21364、全功能保护、工业级品质为核心竞争力,为三相半桥驱动提供高性能、高可靠、高性价比的国产解决方案。

无论是家电变频、工业电机,还是新能源逆变,JSM21364STR 都能以对等性能、更高余量、本土支持,帮助工程师快速完成国产化替换,实现降本、稳供、提质三重目标。

未来,杰盛微将持续深耕功率半导体领域,推出更多高压驱动、电源管理、功率器件产品,以技术创新推动国产替代,为全球功率系统提供 “中国芯” 动力。



关于杰盛微

杰盛微半导体是国内专注于功率驱动 IC、电源管理 IC、功率半导体器件研发、生产与销售的高新技术企业,产品覆盖电机驱动、逆变电源、工业控制、家电、新能源等领域,坚持 “自主研发、品质至上、客户至上” 理念,为客户提供高可靠、高性价比的功率半导体解决方案与一站式技术服务。


查看全文

点赞

深圳市杰盛微半导体有限公司

研制开发了各类磁开关系列芯片,磁速度、方向传感器芯片,线性传感器

作者最近更新

  • JSM3404 SOT-23 30V N 沟道增强型 MOSFET
    深圳市杰盛微半导体有限公司
    07-18 18:01
  • JSM3402 N 沟道增强型 MOSFET
    深圳市杰盛微半导体有限公司
    07-18 18:01
  • JSM8N60F 600V N 沟道增强型 MOSFET
    深圳市杰盛微半导体有限公司
    06-06 18:01

期刊订阅

相关推荐

  • 车用半导体元件产值逐渐衰退,厂商应该怎样重新规划?

    2020-02-24

  • 英飞凌650 V CoolSiC MOSFET系列 更具有可靠性和性能水平

    2020-02-26

  • 碳化硅(SiC)功率器件:在电动汽车领域具有显著优势和广泛的应用前景

    2020-03-02

  • 英飞凌推出650 V CoolSiC MOSFET系列 带来最佳可靠性和性能水平

    2020-03-02

评论0条评论

    ×
    私信给深圳市杰盛微半导体有限公司

    点击打开传感搜小程序 - 速览海量产品,精准对接供需

    • 收藏

    • 评论

    • 点赞

    • 分享

    收藏文章×

    已选择0个收藏夹

    新建收藏夹
    完成
    创建收藏夹 ×
    取消 保存

    1.点击右上角

    2.分享到“朋友圈”或“发送给好友”

    ×

    微信扫一扫,分享到朋友圈

    推荐使用浏览器内置分享功能

    ×

    关注微信订阅号

    关注微信订阅号,了解更多传感器动态

  • #{faceHtml}

    #{user_name}#{created_at}

    #{content}

    展开

    #{like_count} #{dislike_count} 查看评论 回复

    共#{comment_count}条评论

    加载更多

  • #{ahtml}#{created_at}

    #{content}

    展开

    #{like_count} #{dislike_count} #{reback} 回复

  • #{ahtml}#{created_at}

    #{content}

    展开

    #{like_count} #{dislike_count} 回复

  • 关闭
    广告