寒序科技携手三星伙伴完成亚洲首款8nm eMRAM AI芯片流片

5月8日，国产AI芯片公司寒序科技（ICY Tech）联合三星生态设计伙伴SEMIFIVE，基于三星8nm eMRAM工艺，成功完成边缘AI芯片的流片工作。此次流片标志着国产AI芯片在先进存储与存算架构方面实现关键进展。

此次实现的8nm嵌入式MRAM（eMRAM）流片项目是亚洲首个商业化部署案例。该项目由寒序科技主导底层核心技术的研发，体现了其在该技术领域的深厚积累。

作为核心技术提供方，寒序科技深度参与了MRAM的定制开发与存算架构设计，并成功获得三星稀缺的8nm eMRAM工艺窗口。

不同于传统的ASIC开发流程，寒序科技主导了包括MRAM比特单元、外围电路、高带宽读出电路以及大模型推理算子加速等核心模块的底层架构设计，SEMIFIVE则承担了后端硅实现和MPW流片的支持。

这种“底层架构自研+国际生态落地”的协作模式，使项目突破了传统IP调用方式的限制。

在技术路径上，寒序科技创新性地采用“MRAM+SRAM”混合存储架构，有效应对了传统AI芯片在“内存墙”方面的瓶颈。

该方案通过eMRAM取代传统SRAM，不仅降低了芯片面积和功耗，还显著提升了存储效率。同时，结合近内存处理（PNM）架构与GEMV计算方式，显著提升了Transformer模型中关键算子的推理效率。

该芯片能够支持20亿参数级的大模型在边缘端高效运行，其性能可对标当前国际领先的推理芯片，并在存储密度和能效比方面表现出色。

该芯片主要面向私有AI Agent、人形机器人等边缘端应用场景，也可扩展至具身智能系统与云端推理中心，作为替代GPU/HBM体系的高能效推理模块。

eMRAM技术具备非易失性、高带宽和低功耗等优势，无需刷新即可长期保存数据。其单元面积远小于传统SRAM，特别适合在功耗与空间受限的边缘设备中使用，为国产边缘AI应用提供了可靠算力支撑。

此次成功流片得益于寒序科技对北京大学物理学院应用磁学中心在自旋电子学及存算一体领域研究成果的深入转化。

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