铠侠加速推进BiCS10 NAND闪存量产：332层架构推动存储密度跃升
热点科技
铠侠加速推进BiCS10 NAND闪存量产：332层架构推动存储密度跃升
随着人工智能（AI）应用的迅猛发展，全球存储市场需求持续上升，铠侠等存储厂商也从中受益良多。在行业利润增长的背景下，企业纷纷加大投入，推动下一代NAND闪存的创新。据最新消息，铠侠正计划于2027年正式量产其第十代BiCS FLASH产品——BiCS10。尽管该产品的量产时间相较此前预期有所延后，但其332层的堆叠结构预示着存储容量的显著提升，主要面向高性能固态硬盘（SSD）市场，尤其针对AI计算对高密度、高带宽存储的迫切需求。
目前，铠侠已在其BiCS 8产品中引入了创新的CBA（Cell Banking Architecture）技术，有效提升了存储密度和可靠性。与此同时，搭载最新CMOS工艺的BiCS 9闪存也于2025年完成样片测试，相关产品已逐步投入市场。然而，随着AI训练平台和数据中心对存储性能的要求日益严苛，现有NAND技术的演进速度正面临更大挑战，促使铠侠进一步加快BiCS10的开发与商业化进程。
从技术参数来看，BiCS10的堆叠层数达到前所未有的332层，相比上一代BiCS8产品，其存储密度提升了59%。此外，其数据接口速度最高可达4.85 Gbps，显著优化了数据吞吐能力。这些特性使其在AI计算、超大规模数据中心等高性能应用场景中具备明显优势。
预计首批搭载BiCS10的SSD将优先供应数据中心和云计算平台，而面向消费市场的版本可能会在2028年之后陆续推出。随着铠侠持续推进其3D NAND技术路线图，BiCS10的问世将进一步推动存储行业向更高容量、更高速度的发展方向迈进。
查看全文
评论0条评论