台积电确认已采购High-NA EUV光刻设备，并推进研发进程
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台积电确认已采购High-NA EUV光刻设备，并推进研发进程
在6月4日举行的年度股东大会上，台积电董事长暨总裁魏哲家就外界关注的下一代光刻技术发展问题作出回应。他特别澄清了关于High-NA EUV（高数值孔径极紫外）光刻设备的投资情况。
魏哲家指出，外界普遍误解台积电未积极布局High-NA EUV设备，但实际上，公司已正式采购相关设备，并同步推进研发工作。目前该技术尚未进入量产阶段，但随着设备成本逐步下降，未来将具备导入量产的条件。他强调，台积电对中长期的业务增长仍持乐观态度。
在先进封装技术方面，魏哲家透露，台积电已建立试验线（Pilot Line），用于测试玻璃基板等创新封装方案。他预计，相关技术还需约2至3年时间才能进入较大规模的生产阶段。他进一步说明，先进封装与新材料的发展无法一蹴而就，关键在于与客户协同验证，并确保量产过程中的效率与良率。
谈及高端芯片的产能规划，魏哲家表示，当前全球市场对高性能芯片的需求依然强劲。尽管台积电正在加快美国工厂的建设进度，但整体产能仍难以满足需求。他强调，中国台湾地区将继续作为台积电最重要的生产基地。此外，南京厂自引入16nm制程后，其竞争力持续增强。即便成熟制程市场竞争日益激烈，该厂区仍将持续优化与升级。
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