三大存储原厂竞相突破芯片内部散热瓶颈
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6月8日消息，英伟达最新AI平台Vera Rubin进入量产阶段，SK海力士、三星和美光之间的竞争正从层数比拼转向技术攻坚，芯片内部热管理已成为HBM5时代的关键突破口。
三大存储原厂竞相突破芯片内部散热瓶颈
6月8日，英伟达最新AI平台Vera Rubin正式进入量产阶段，标志着SK海力士、三星与美光之间的竞争焦点已从堆叠层数的较量，转向更深层次的技术突破。当前，芯片内部的热管理正成为HBM5时代的关键技术攻坚方向。
随着AI硬件的快速演进，英伟达与AMD新一代AI服务器GPU的单芯片功耗已接近1000W。HBM4的堆叠层数已达到12至16层，而HBM5则将迈向20层堆叠的更高目标。
堆叠层数的增加直接导致HBM内部热量的积聚加剧。过热不仅可能引发芯片降频，还会造成算力下降和系统稳定性受损。因此，英伟达与AMD等主要客户已明确要求HBM供应商在散热管理方面做出改进。
SK海力士近期推出了iHBM散热技术，该方案通过在HBM内部集成冷却元件，构建直通散热通道，从而实现更高效的热传导。
与传统设计相比，iHBM技术可将热阻降低30%以上。SK海力士计划将该技术应用于其HBM5及后续产品线。
三星电子则在Computex 2026上首次展示了HBM5原型，并同步推出了HPB散热方案。该方案通过在多层DRAM裸片之间嵌入导热块，构建多条独立的散热通道，形似“散热烟囱”。
该技术已在第七代HBM4E上完成验证，首批样品已于5月底交付客户。三星表示，HPB方案可将热阻降低16%，并预计HBM5将在2028年左右实现量产。
美光则选择从低功耗HBM设计入手，同时引入硅通孔（TSV）沟槽冷却技术。该技术通过在AI加速器芯片的硅基板内部蚀刻微型沟槽，使冷却液在其中循环流动，从而有效降低内部热积累。
行业观察人士指出，随着散热技术的不断升级，高导热材料和先进封装工艺的需求将显著增长，这将对半导体供应链产生深远影响。未来，低功耗与热管理技术将成为HBM研发的核心方向。
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