露笑科技8英寸导电型SiC衬底取得重大突破

江苏半导体协会 20260702

  • 半导体材料

1月22日消息，据露笑科技官微报道，合肥露笑半导体材料有限公司在8英寸导电型碳化硅衬底研发与产业化领域取得重大突破。

 

报道称，露笑科技已全面掌握8英寸导电型碳化硅晶体生长工艺参数之间的耦合关系，成功生长出高质量的8英寸碳化硅晶体。晶体结晶质量高，晶型控制稳定，确保了衬底的高性能和一致性。其中，微管密度极低，表面质量满足客户要求。

 

此外，露笑科技合肥基地一期项目已顺利投产。在此基础上，公司正积极筹划二期扩产项目，将重点聚焦于8英寸衬底及外延片的产线建设，旨在快速形成规模化生产能力。

 

露笑科技表示，将继续加大研发投入，持续优化8英寸导电型碳化硅的生产工艺，同时前瞻性地布局下一代碳化硅技术，积极探索更大尺寸衬底的研发。

 

（JSSIA整理）

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