格罗方德与Everspin宣布用12LP制程量产MRAM存储器件
日前，格罗方德与 Everspin 宣布：两家公司已将联合开发的自旋转矩（STT-MRAM）器件的制造，扩展至 12 nm FinFET 平台（简称 12LP）。通过这项合作，格罗方德能够利用已被广泛采用的 12nm 工艺来生产单独的 MRAM 芯片、或将之嵌入其它通过 12LP 技术制造的产品。
据悉，两家公司的合作历史相当悠久，最早可追溯到 40nm 的量产工艺，然后扩展到 28nm HKMG 和 22nm FD-SOI（22FDX）。
如今，格罗方德已能够制造嵌入式的非容失性磁性随机存储器（eMRAM）。而 Everspin 单独的 256 Mb 和 1 Gb MRAM 器件，亦可通过 40 nm 和 28 nm 工艺量产制造。
通过将 STT-MRAM 缩小至 12 nm 制程，有助于双方进一步拉低 1 Gb 芯片成本。以经济高效的方式，生产更高容量的设备。
尽管现有的 MRAM 芯片无法提供巨大的容量，但其在特定领域的应用仍相当受欢迎。Everspin 表示，该公司已向超过 1000 个客户出货 1.25 亿个单独的 MRAM 芯片。
此外，引用该公司的一份报告：到 2029 年，单独的 MRAM 器件销售额将达到 40 亿美元。随着对大容量 MRAM 产品需求的不断扩展，未来还需要用到更先进的工艺。
格罗方德在其 12LP 平台（包括 12LP+）中增加了对 eMRAM 的支持，可极大地提升该制程节点的竞争地位，尤其是未来几年发布的主控 / 微控制器应用领域。
比如，群联（Phison）和华澜微电子（Sage）即将推出的一些企业级 SSD 主控，就会采用 Everspin 的 eMRAM 方案，而不是单独使用该器件。
eMARM 有望取代当前普遍采用的嵌入式闪存（eFlash），以克服 NAND 存在的耐久度和性能等问题。
作为一种磁性存储元器件，MRAM 能够感测由薄壁隔开的两个铁磁膜的各向异性。由于不使用电荷或电流，其能够在现代制程节点的帮助下，实现更优秀的性能和耐久度。
尽管 eMRAM 仍有其局限性，但在其它技术出现之前，这种兼顾静态（SRAM）和动态（DRAM）随机存储器特性的高度集成产品，仍然能够在未来几年内被各个厂商欣然应用于诸多设备。
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