研究人员制造纳米器件 速度是当前晶体管的百倍

大比特商务网 20200402

  • 半导体芯片
  • 太赫兹波
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EPFL研究人员已经开发出一种比当今最快的晶体管运行速度快十倍的器件。新设备的运行速度也比目前计算机中的晶体管快100倍左右。他们发明的纳米级设备能够产生高功率太赫兹波。

  EPFL研究人员已经开发出一种比当今最快的晶体管运行速度快十倍的器件。新设备的运行速度也比目前计算机中的晶体管快100倍左右。他们发明的纳米级设备能够产生高功率太赫兹波。这位科学家说,众所周知,这些波很难产生。由于很难产生这种波,因此它有着广泛的应用前景,包括成像或传感以及高速无线通信。

  研究人员还说,该装置的高功率皮秒操作有望用于先进的医疗技术,包括癌症治疗。太赫兹波在电磁频谱中介于微波和红外辐射之间,以每秒10亿至30万亿次的频率振荡。太赫兹波因其独特的特性而受到追捧,包括穿透纸张、衣物、木材和墙壁的能力。

  这些电波还能够携带数据,这可能为更快的无线通信打开了大门。这些波也是非电离的,不会对人体健康造成危害。科学家们创造的技术可以安装在11111111半导体芯片上,也可以是柔性介质,有朝一日可以安装在智能手机或其他手持设备上。所描述的设备是紧凑和廉价的,能够在短时间内从一个微小的源产生高强度的波。

  它通过在10皮秒范围内产生从10V到100V的电压尖峰来产生“火花”。该设备每秒可以接受多达5000万个信号,从而以近乎连续的方式产生火花。结构包括一对金属板,它们之间的距离接近20纳米。通过向其中一块板施加电压电子浪涌形成纳米等离子体。

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