美光科技将量产基于RG架构的128层3D NAND闪存

美光科技日前透露，该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划，美光将于 2020 Q3 采集开始生产，并于 Q4 像商业客户发货。

　　美光科技在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划，美光将于 2020 Q3 采集开始生产，并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型，第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。

资料图（来自：Micron）

　　此外，作为美光长期技术演进计划的核心，该公司将用替换门（RG）技术来取代与英特尔合作时期使用了多年的传统浮栅技术。

　　美光拥有 RG 技术的完整设计，且希望本次技术转型能够减小管芯尺寸、降低成本、提高性能，以及更轻松地过渡到更多层的下一代节点。

　　尽管量产工作宜早不宜迟，但美光向也投资者指出，该公司不会在今年内全面转向基于 RG 架构的 3D NAND 技术，毕竟早期良率还有继续提升的空间。

　　美光称，其计划在 2020 Q4 财季（今夏）开始出货 128 层 RG 架构的 3D NAND 闪存产品。

　　首席执行官 Sanjay Mehrotra 补充道：“我们在向 RG 技术过渡方面取得了重大进展，预计到 2020 年末，它将成为公司 NAND 总供应量的重要组成部分”。

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