三星全新GAE技术3nm工艺被曝延期一年
三星早在去年就宣布了3nm GAE工艺，将在3nm节点放弃FinFET晶体管，转向GAA环绕栅极晶体管工艺，比7nm工艺，3nm GAE工艺号称可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
近日，DigiTimes在一份报告中称，三星3nm工艺量产时间可能已经延期至2022年。
三星原计划2021年初量产3nm，但受疫情影响，三星预期时间可能已经延期至2022年，业内消息人士指出，这并非工艺制造上的延迟，而是因为EUV光刻机等关键设备在物流上的延迟所致。 三星早在去年就宣布了3nm GAE工艺，将在3nm节点放弃FinFET晶体管，转向GAA环绕栅极晶体管工艺，比7nm工艺，3nm GAE工艺号称可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。 而三星最大对手台积电也因为疫情原因半导体装备及安装人员都无法按期完成，原计划在6月份风险试产的3nm FinFET工艺，试产时间将延期到10月份。 相应地，台积电南科18厂的3nm生产线也会顺延一个季度，原本在10月份安装设备，现在也要到2021年初了。 |
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