三星英特尔积极布局FinFET替代工艺
2001年，加州大学伯克利分校胡正明教授提出FinFET方案。2011年，英特尔正式商用FinFET工艺技术，之后台积电也迅速跟进，在16nm节点中使用了FinFET。从16/14nm开始，FinFET成为了半导体器件的主流选择。
FinFET称为鳍式场效晶体管（FinField-EffectTransistor；FinFET）是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。闸长已可小于25奈米，未来预期可以进一步缩小至9纳米，约是人类头发宽度的1万分之1。
传统平面的晶体管所采用的是FD-SOI工艺。虽然这几年的FinFET工艺占据了大多数人的视线，但是FD-SOI工艺依然非常重要。如果要是FinFET工艺核FD-SOI达到相同性能，FD-SOI工艺在制造过程中相对简单，但是SOI基片价格稍贵，而FinFET工艺虽然制造过程更为复杂，但是由于基片价格便宜，让两者的实际制造成本相差不大。
但是，由于工艺要求更高，FinFET工艺在5nm以下节点遇到了问题。到了5nm节点后，虽然已经使用上了EUV光刻技术，但是基于FinFET结构进行的芯片尺寸的缩小，就变得更加困难。FinFET工艺制造、研发成本也越来越高，即使在7nm、5nm仍能坚持，但是再往前似乎已经是力不从心。
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随着晶体管尺度向5nm甚至3nm迈进，FinFET本身的尺寸已经缩小至极限后，无论是鳍片距离、短沟道效应、还是漏电和材料极限也使得晶体管制造变得岌岌可危，甚至物理结构都无法完成。
不过，代工巨头们并没有回头再去深究FD-SOI工艺，而是对环绕栅极（GAA）器件产生了极大的兴趣。与FinFET工艺中的立体沟道三面都被栅极围绕不同，到了GAA，沟道由纳米线（nanowire）构成，其四面都被栅极围绕，从而再度增强栅极对沟道的控制能力，有效减少漏电。
总体而言，GAA制造方式主要是通过外延反应器在集体上制造出超晶格结构，这样的结构至少需要硅锗材料或者三层硅材料堆叠而成，并且还需要形成STI浅槽隔离，接下来需要多晶硅伪栅成像、隔离层和内部隔离层成型、漏极和源极外延、沟道释放、高K金属栅极成型、隔离层中空、环形触点成型等。
外界传言，台积电在3nm节点可能没有三星这么激进，继续沿用FinFET工艺的可能性存在，在第二代3nm或2nm上才会升级到GAA晶体管技术。但英特尔和三星很可能押宝在GAA技术上，以此来缩小和台积电之间的差距，甚至是超越台积电。
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