德国研究人员通过强光-物质耦合机制使黑暗的半导体发光
德国奥登堡大学（University of Oldenburg）的研究人员通过强光-物质耦合控制半导体材料二硒化钨的二维超薄样品中的能级，对材料特性进行修改，提高了暗二维材料的发光效率。
研究人员将二硒化钨样品放在两个专门准备的镜子之间，并使用激光激发材料，进而在光粒子之间建立耦合（光子）和激发电子，使得材料亮度增加。光效应可用于优化半导体的光学特性，从而有助于开发新型LED、太阳能电池、光学元件和其他应用。
相关研究成果发表在《自然·通讯》（Nature Communications）期刊上。
在实验中，奥登堡大学物理学家将激光引导到具有各种光学元件的极薄半导体样品上。
版权声明：除特殊说明外，本站所有文章均为 字节点击 原创内容，采用 BY-NC-SA 知识共享协议。原文链接：https://byteclicks.com/39104.html 转载时请以链接形式标明本文地址。转载本站内容不得用于任何商业目的。本站转载内容版权归原作者所有，文章内容仅代表作者独立观点，不代表字节点击立场。报道中出现的商标、图像版权及专利和其他版权所有的信息属于其合法持有人，只供传递信息之用，非商务用途。如有侵权，请联系 gavin@byteclicks.com。我们将协调给予处理。
赞
查看全文
作者最近更新
-
德国联邦政府拟制定新版太空战略字节点击
2022-10-26 -
德联邦教研部资助5000 万欧元用于研究创新抗生素字节点击2022-10-25
-
德国科学组织联盟发布“能源危机对科研的影响”的立场声明字节点击2022-10-25
评论0条评论