士兰微电子发明专利荣获第二十三届中国专利优秀奖
近日，国家知识产权局公布了第二十三届中国专利奖获奖名单，其中士兰微电子申报的“功率器件及其制造方法”（专利号：ZL201610941707.1）发明专利荣获第二十三届中国专利优秀奖。
本次评选采用项目推荐方式，以高质量发展为导向，优先推荐基础研究、应用基础研究、突破关键技术难题等方面形成的核心专利，贯彻《中国专利奖评奖办法》和《国家知识产权局关于评选第二十三届中国专利奖的通知》，鼓励和表彰为技术创新和经济社会发展作出突出贡献的专利权人和发明人。
长期以来，士兰微电子注重知识产权的保护和积累，截止2021年12月31日，已申请国内专利2100余项、国外专利30余项，2021年新增自主研发的专利近200余项。该专利公开的功率器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的第一掺杂区；位于第一掺杂区的第一区域中的多个第二掺杂区；以及位于第一掺杂区的第二区域中的多个第三掺杂区。在不增加任何工艺复杂度和成本的基础上，通过调整第一电荷补偿结构和第二电荷补偿结构中的P型掺杂区的掺杂浓度，兼顾提高功率器件的导通电阻和击穿电压的要求。
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