| 型号 | HL03-A | HL03-W |
| 测定方式 | 扩散反射 | |
| 测定中心距离 | 30mm | |
| 测定范围 | ±4mm | |
| 光源 | 红色半导体激光;级别2级;最大输出功率0.39mW;波长:655nm | |
| 光束直径 | 0.1mm×0.1mm | 0.1mm×1mm |
| 受光部 | CMOS图像传感器 | |
| 分辨率 | 0.5μm | |
| 线性度 | ±0.1%F.S./℃ | |
| 温度特征 | ±0.08%F.S./℃ | |
| 电源电压 | 24VDC±10%包括脉动0.5V(P-P) | |
| 电流消耗 | 100mA以下 | |
| 取样周期 | 500μs/1ms/2ms | |
| 模拟输出 | 电压 | 输出范围:0-10.5V(正常时)、11V(警告时)输出阻抗:100Ω |
| 电流 | 输出范围:3.2~20.8mA(正常时)、21.6mA(警告时)负载阻抗:300Ω以下 | |
| OUT1输出OUT2输出OUT3输出 | 判断输出或警告输出(设定切换式)NPN晶体管集电极开路/PNP晶体管集电极开路(切换式) | |
| 〈NPN动作设定时〉●最大流入电流:50mA●施加电压:3~24VDC(输出-0V)●剩余电压:2V以下(当流入电流为50mA时)●漏电流:0.1mA以下 | 〈PNP动作设定时〉●最大流出电流:50mA●剩余电压:2.8V以下(当流出电流为50mA时)●漏电流:0.1mA以下 | |
| 输出动作 | ON(输出动作)时开路 | |
| 短路保护 | 配备(自动恢复式) | |
| NP切换输入 | 0V连接时:NPN集电极开路输出动作电源24VDC连接时:PNP集电极开路输出动作 | |
| 定时输入 | NPN动作设定时:连接0V时动作或者连接中动作(因设定而异)PNP动作设定时:连接外部电源+时动作或者连接中动作(因设定而异) | |
| 多路输入 | 根据输入时间进行调零、复位、内存切换、示教、保存、激光控制NPN动作设定时:依据连接0V的时间PNP动作设定时:依据连接外部电源+的时间 | |
| 通信接口 | RS-422或RS-485波特率:9600/19,200/38,400/115,200/230,400/460,800/921,600bps数据长8bit、结束位长bit、奇偶校验无、BCC有、数据区分:CR | |
| 显示灯 | 激光投光 | 绿光发光二极管激光投光时亮起 |
| 警告 | 橙色发光二极管光量不足致使无法测定时 | |
| 输出 | 黄色发光二极管(显示灯数:3)输出动作时亮起 | |
| 数字显示部分 | 红色发光二极管 符号和5位显示 | |
| 保护构造 | IP67(除连接器部分) | |
| 污损度 | 2 | |
| 绝缘电阻 | DC250VMegger时20MΩ以上(所有端子-壳体之间) | |
| 耐电压 | AC1000V1分钟(所有端子-壳体之间) | |
| 耐振动 | 耐久频率:10~55Hz(周期1分钟)双振幅:1.5mmX/Y/Z方向各2小时 | |
| 耐冲击 | 500m/s²X/Y/Z方向各3次 | |
| 周围照明度 | 3000lux以下 | |
| 周围温度 | -10℃~+45℃的工作温度 存储时:-20℃~+60℃ | |
| 周围湿度 | 35%~85%RH | |
| 使用高度 | 2000m以下 | |
| 材质 | 本体外壳:PBT;前盖:丙烯;电缆:PVC | |
| 电缆 | 1.2m | |
| 电缆延长 | 20m | |
| 紧固扭矩 | 0.8N.m以下 | |
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