特性
- 极低暗电流信号
- 极低的电容水平
- 完全耗尽时的最小串联电阻
- 非常低的暗电流信号
- 极低电容电平
α、β、γ和X射线辐射可以用硅PIN光电二极管直接通过晶格吸收或间接通过测量闪烁晶体的发光辐射来检测。第一代传感器的X系列采用优化的硅PIN光电二极管，即使在低反向电压下也能形成宽的、完全耗尽的空间电荷区域，以保证最大限度地吸收辐射。对于高能辐射，我们为探测器提供CsI:TI闪烁水晶，特色
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 探测器输出 | Count Rate |
| 探测器形式 | Detector Sensing Element Only |
| 工作温度 | -4 to 140 F (-20 to 60 C) |
| 产品类别 | Radiation Detectors |
| 检测到的电离辐射类型 | Gamma Ray |
| 辐射探测器类型 | Semiconductor Diode Detector |
| 计数率 | 500-1200 cpm |
| 可测活性范围 | 1 to 10000 KeV |
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