特性
- 极低暗电流信号
- 极低电容电平
- 完全耗尽时的最小串联电阻
- 极低的电容水平
- 在完全耗尽时最小串联电阻
用硅脚光电二极管可以直接通过晶体晶格的吸收或间接通过闪烁晶体的发光辐射的测量来检测Alpha、beta、gamma和x射线辐射。系列X从第一传感器的特点优化硅脚光电二极管，形成宽，充分耗尽空间电荷区，即使在低反向电压，以保证最大限度的吸收辐射。对于高能辐射，我们提供具有CsI:TI闪烁晶体的探测器。
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 工作温度 | -4 to 158 F (-20 to 70 C) |
| 产品类别 | Radiation Detectors |
| 检测到的电离辐射类型 | Gamma Ray |
| 辐射探测器类型 | Semiconductor Diode Detector |
| 可测活性范围 | 5 to 1000 KeV |
| 探测器形式 | Detector Sensing Element Only |
