简介
TMR2001采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传敏方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出并且该输出具有良好的温度稳定性。 TMR2001性能优越,采用SOT23-5(3mm×3mm×1.45mm)封装形式 。
应用
(1)磁力计;
(2)电流传感器;
(3)角度传感器;
(4) 位置传感器
特性
(1)隧道磁电阻(TMR)技术;
(2)高灵敏度;
(3)宽动态范围;
(4)低功耗;
(5)优越的温度稳定性
技术参数
规格项 | 参数值 |
---|---|
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) | / |
饱和场(Oe) | ±25 |
敏感方向 | X轴 |
交付周期 | In stock |
磁阻结构 | 全桥 |
敏度(mV/V/Oe) | 8 |
电阻(kΩ) | 60 |
供电电压 | 0~7 V |
产品型号 | TMR2001 |
封装形式 | SOT23-5 |
兼容型号 | — |
磁滞(Oe) | 0.4 |