简介
TMR2009采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传敏方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出并且该输出具有良好的温度稳定性。 TMR2009性能优越，采用SOT23-5（3mm×3mm×1.45mm）封装形式 。
应用
（1）磁力计；
（2）电流传感器；
（3）角度传感器；
（4）位置传感器
特性
（1）隧道磁电阻(TMR)技术；
（2）高灵敏度；
（3）宽动态范围；
（4）低功耗；
（5）优越的温度稳定性
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 交付周期 | In stock |
| 兼容型号 | — |
| 饱和场（Oe） | ±200 |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | / |
| 敏度（mV/V/Oe） | 0.3 |
| 敏感方向 | X轴 |
| 产品型号 | TMR2009 |
| 供电电压 | 0～7 V |
| 封装形式 | SOT23-5 |
| 磁滞（Oe） | 1.2 |
| 电阻（kΩ） | 10,60 |
| 磁阻结构 | 全桥 |
