产品概述
TMR2102采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2102性能优越，采用两种封装形式：SOP8 (6 mm × 5 mm × 1.5 mm) 和 DFN8 (3 mm × 3 mm × 0.75 mm)。
核心特点/优势
- 采用隧道磁电阻(TMR)技术，实现高灵敏度和低磁滞
- 宽动态范围，适用于多种磁场测量场景
- 低功耗设计，适合电池供电系统
- 优越的温度稳定性，适用于宽温环境
- 兼容MMLP57F型号，便于系统集成
- 支持差分输出，提高抗干扰能力
应用领域
- 磁力计
- 电流传感器
- 工业流量计
- 位置传感器
- 角度传感器
选型指南/使用建议
TMR2102提供SOP8和DFN8两种封装形式，适用于不同空间需求的系统设计。建议在±90 Oe磁场范围内使用，以确保最佳线性度和灵敏度。工作电压范围为0～7 V，支持多种供电方案。使用时应避免超过1000 Oe的冲击磁场，以防止传感器饱和或损坏。推荐在-40～125 ℃温度范围内工作，存储温度范围为-50～150 ℃。
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 灵敏度 | 4.9 mV/V/Oe |
| 电阻 | 90/45 kΩ |
| 失调电压 | -20～20 mV/V |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | ～10 |
| 磁阻结构 | 全桥 |
| 产品型号 | TMR2102 |
| 饱和场 | ±90 Oe |
| 工作电流(SOP8) | 11 μA |
| 磁滞 | 0.1 Oe |
| 磁滞（Oe） | 0.1 |
| 电阻温度系数 | -820 PPM/℃ |
| 磁滞范围 | 0.1～0.2 Oe |
| 敏度（mV/V/Oe） | 4.9 |
| 非线性度 | 1 %FS |
| 兼容型号 | MMLP57F |
| 敏感方向 | X轴 |
| 交付周期 | In stock |
| 工作电流(DFN8) | 22 μA |
| 本底噪声 | ～10 nT/rt(Hz) @1Hz |
| 灵敏度温度系数 | -1160 PPMC |
| 存储温度范围 | -50～150 ℃ |
| 封装形式 | SOP8 DFN8L(3×3×0.75) |
| 工作温度范围 | -40～125 ℃ |
| 电阻（kΩ） | 90/45 |
| 饱和场（Oe） | ±90 |
| 供电电压 | 0～7 V |
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