简介
TMR2103采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2103性能优越，采用两种封装形式：SOP8（6mm × 5mm × 1.5mm）和DFN8（3mm × 3mm × 0.75mm）。
应用
（1）磁力计；（2）电流传感器；（3）工业流量计；（4）位置传感器；（5）角度传感
特性
（1）隧道磁电阻(TMR)技术；（2）高灵敏度；（3）宽动态范围；（4）更低功耗；（5）优越的温度稳定性；（6）更低的磁滞；（7）宽工作电压范围
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 兼容型号 | — |
| 交付周期 | In stock |
| 敏感方向 | X轴 |
| 电阻（kΩ） | 50 |
| 饱和场（Oe） | ±75 |
| 封装形式 | SOP8 DFN8L(3×3×0.75) |
| 磁阻结构 | 全桥 |
| 敏度（mV/V/Oe） | 6 |
| 磁滞（Oe） | 0.3 |
| 供电电压 | 0～7 V |
| 产品型号 | TMR2103 |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | ～10 |
