产品概述
TMR2103采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2103性能优越，采用两种封装形式：SOP8（6mm × 5mm × 1.5mm）和DFN8（3mm × 3mm × 0.75mm）。
核心特点/优势
- 采用隧道磁电阻（TMR）技术，实现高灵敏度和低磁滞
- 宽动态范围，适用于多种磁场测量场景
- 低功耗设计，适合电池供电系统
- 优越的温度稳定性，适用于宽温环境
- 支持宽工作电压范围（0～7 V），适应性强
- 差分输出结构，提高抗干扰能力
应用领域
- 磁力计
- 电流传感器
- 工业流量计
- 位置传感器
- 角度传感
选型指南/使用建议
TMR2103提供两种封装形式：SOP8（6mm × 5mm × 1.5mm）和DFN8（3mm × 3mm × 0.75mm），适用于不同空间要求的系统集成。建议在±75 Oe磁场范围内使用，以确保最佳线性度和灵敏度。工作电压范围为0～7 V，推荐使用1 V供电以获得最佳性能。产品适用于-40~125 ℃的工作温度范围，适合工业和汽车级应用。
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 电阻（kΩ） | 50 |
| 兼容型号 | — |
| 电阻 | 50 kΩ |
| 磁阻结构 | 全桥 |
| 失调电压 | -15~15 mV/V |
| 敏度（mV/V/Oe） | 6 |
| 磁滞 | 0.3 Oe |
| 饱和场（Oe） | ±75 |
| 产品型号 | TMR2103 |
| 敏感方向 | X轴 |
| 工作电流 | 60 μA |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | ～10 |
| 供电电压 | 0～7 V |
| 封装形式 | SOP8 DFN8L(3×3×0.75) |
| 存储温度范围 | -50~150 ℃ |
| 磁滞（Oe） | 0.3 |
| 失调电压温度系数 | -640 PPMC |
| 灵敏度温度系数 | -13 PPM/℃ |
| 灵敏度 | 6 mV/V/Oe |
| 饱和场 | ±75 Oe |
| 本底噪声 | ～10 nT/rt(Hz) @1Hz |
| 交付周期 | In stock |
| 工作温度范围 | -40~125 ℃ |
| 非线性度 | 0.5 %FS |
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