简介
TMR2105采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2105性能优越，采用LGA4（2mm×1.5mm×0.73mm）封装形式。
特性
(1)隧道磁电阻(TMR)技术;(2)大动态范围可达1000 Oe;(3)低功耗;(4)优越的温度稳定性
应用
(1)磁力计;(2)电流传感器;(3)角度传感器;(4)位置传感器
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 敏度（mV/V/Oe） | 0.3 |
| 饱和场（Oe） | ±1000 |
| 交付周期 | In stock |
| 磁滞（Oe） | 1.5 |
| 磁阻结构 | 全桥 |
| 供电电压 | 0～7 V |
| 产品型号 | TMR2105 |
| 电阻（kΩ） | 60 |
| 敏感方向 | X轴 |
| 封装形式 | LGA4（2×1.5×0.73） |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | / |
| 兼容型号 | — |
