简介
三轴TMR2307采用了三个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计。每一轴惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。三轴TMR2307采用的封装形式：LGA（7mm x 7mm x 2.5mm）。
特性
（1）隧道磁电阻 (TMR) 技术；（2）三维线性感应；（3）高灵敏度(8mV/V/Oe)；（4）低功耗；（5）优越的温度稳定性；（6）宽工作电压范围；（7）无需置位/复位脉冲电路；（8）更低的本底噪声(1nT/rtHz@1Hz)
应用
（1）三维空间测量；（2）微弱磁场检测；（3）电流传感器；（4）位置传感器
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 磁阻结构 | 全桥 |
| 封装形式 | LGA12L(7x7x2.5) |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | ～1 |
| 电阻（kΩ） | 1.5 |
| 饱和场（Oe） | ±30 |
| 产品型号 | TMR2307 |
| 敏度（mV/V/Oe） | 8 |
| 敏感方向 | X/Y/Z轴 |
| 供电电压 | 0～7 V |
| 磁滞（Oe） | 0.2 |
| 交付周期 | In stock |
| 兼容型号 | — |
